Товары из категории драйверы mosfet/igbt, стр.20

Производитель

Драйверы MOSFET и IGBT — это специализированные микросхемы или модули, предназначенные для управления затвором силовых полупроводниковых ключей (MOSFET, IGBT) в составе инверторов, импульсных источников питания, частотных преобразователей, сварочных аппаратов и систем рекуперации.

Обеспечивают быстрое, надёжное и защищённое переключение при высоких напряжениях и токах.

В каталоге 7-el.ru — драйверы MOSFET и IGBT от проверенных производителей: KEFA, Texas Instruments, Analog Devices, Infineon, STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
LM5108DRCT
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора MOSFET Время нарастания импульса11нс Время падения импульса8нс Выходной ток-2,6...1,6А Защитаот снижения напряжения UVP
237.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LM5108DRCT, IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора MOSFET; VSON10" 1.

0.0
LM5109BMA/NOPB
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора MOSFET Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-1...1А Защитаот снижения напряжения UVP
173.91 
Доступность: 599 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM5109BMA/NOPB, IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -1÷1А" 1.

0.0
LM5109MA/NOPB
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора MOSFET Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-1...1А Защитаот снижения напряжения UVP
246.64 
Доступность: 45 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM5109MA/NOPB, IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -1÷1А" 1.

0.0
LM5110-1M/NOPB
Вид микросхемыlow-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса25нс Время падения импульса25нс Выходной ток-5...3А
396.84 
Доступность: 37 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM5110-1M/NOPB, IC: driver; полумост MOSFET; low-side,контроллер затвора MOSFET" 1.

0.0
LM5110-2M/NOPB
Вид микросхемыlow-side, контроллер затвора MOSFET Время нарастания импульса25нс Время падения импульса25нс Выходной ток-5...3А Защитаот снижения напряжения UVP
275.10 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM5110-2M/NOPB, IC: driver; low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2" 1.

0.0
LM5110-3M/NOPB
Вид микросхемыlow-side, контроллер затвора MOSFET Время нарастания импульса25нс Время падения импульса25нс Выходной ток-5...3А Защитаот снижения напряжения UVP
251.38 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM5110-3M/NOPB, IC: driver; low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2" 1.

0.0
LM5111-1M/NOPB
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыlow-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса25нс Время падения импульса25нс
396.84 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM5111-1M/NOPB, IC: driver; полумост MOSFET; low-side,контроллер затвора MOSFET" 1.

0.0
LM5111-2M/NOPB
Вид микросхемыlow-side, контроллер затвора MOSFET Время нарастания импульса25нс Время падения импульса25нс Выходной ток-5...3А Защитаот снижения напряжения UVP
463.24 
Доступность: 123 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM5111-2M/NOPB, IC: driver; low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2" 1.

0.0
LM9061MX/NOPB
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусSO8 МонтажSMD
460.08 
Доступность: 217 шт.
+

Минимальное количество для товара "LM9061MX/NOPB, IC: driver; high-side,контроллер затвора; SO8; Ch: 1; 7÷26ВDC" 1.

0.0
LT1161CN
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора Вид упаковкитуба Класс напряжения75В Кол-во каналов4 КорпусDIP20
1 155.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LT1161CN#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора; DIP20; Ch: 4; 8÷48ВDC" 1.

0.0
LT1161CSWPBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Класс напряжения75В Кол-во каналов4 КорпусSO20-W
3 225.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LT1161CSW#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; SO20-W; Ch: 4" 1.

0.0
LT1161ISWPBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Защитаот короткого замыкания SCP Класс напряжения75В Кол-во каналов4
1 596.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LT1161ISW#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; SO20-W; Ch: 4" 1.

0.0
LT1910IS8PBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Защитаот короткого замыкания SCP Класс напряжения75В Кол-во каналов1
10 166.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LT1910IS8#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; Ch: 1; 75В" 1.

0.0
LTC7000EMSE-1PBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса13нс Время падения импульса13нс Входное напряжение3,5...135В
1 427.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LTC7000EMSE-1#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; MSOP16; Ch: 1" 1.

0.0
LTC7000EMSE-1TRPBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкибобина Время нарастания импульса13нс Время падения импульса13нс Входное напряжение3,5...135В
918.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LTC7000EMSE-1#TRPBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; MSOP16; Ch: 1" 2500.

0.0
LTC7000EMSEPBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса13нс Время падения импульса13нс Входное напряжение3,5...135В
1 301.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LTC7000EMSE#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; MSOP16; Ch: 1" 1.

0.0
LTC7000EMSETRPBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкибобина Время нарастания импульса13нс Время падения импульса13нс Входное напряжение3,5...135В
836.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LTC7000EMSE#TRPBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; MSOP16; Ch: 1" 2500.

0.0
LTC7000HMSE-1PBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса13нс Время падения импульса13нс Входное напряжение3,5...135В
1 478.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LTC7000HMSE-1#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; MSOP16; Ch: 1" 1.

0.0
LTC7000HMSEPBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкитуба Время нарастания импульса13нс Время падения импульса13нс Входное напряжение3,5...135В
1 849.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LTC7000HMSE#PBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; MSOP16; Ch: 1" 1.

0.0
LTC7000HMSETRPBF
Вид микросхемыhigh-side, контроллер затвора MOSFET Вид упаковкибобина Время нарастания импульса13нс Время падения импульса13нс Входное напряжение3,5...135В
1 184.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LTC7000HMSE#TRPBF, IC: driver; high-side,контроллер затвора MOSFET; MSOP16; Ch: 1" 2500.

Показать еще 20 товаров
Хиты продаж