Транзисторные модули MOSFET

MOSFET модули – мощные решения для управления током!

В нашем каталоге представлены MOSFET модули различных типов и параметров. Идеально подходят для использования в силовой электронике, промышленном оборудовании и других устройствах. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте MOSFET модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
MSCSM70AM19CT1AG
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP1F Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70AM19CT1AG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCSM70AM19CT1AG, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SP1F; Press-in PCB; 365Вт" 1.

0.0
MSCSM70HM19CT3AG
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70HM19CT3AG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCSM70HM19CT3AG, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SP3F; Press-in PCB; 365Вт" 1.

0.0
MSCSM70TAM05TPAG
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70TAM05TPAG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCSM70TAM05TPAG, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 278А; SP6P; Press-in PCB; 966Вт" 1.

0.0
MSCSM70TAM10CTPAG
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70TAM10CTPAG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCSM70TAM10CTPAG, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 189А; SP6P; Press-in PCB; 674Вт" 1.

0.0
MSCSM70TAM19CT3AG
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70TAM19CT3AG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCSM70TAM19CT3AG, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SP3F; Press-in PCB; 365Вт" 1.

0.0
MSCSM70VM10C4AG
Конструкция диодаSiC диод/тиристор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70VM10C4AG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCSM70VM10C4AG, Модуль; SiC диод/тиристор/транзистор; 700В; 189А; SP4; Idm: 476А" 1.

0.0
MSCSM70VM19C3AG
Конструкция диодаSiC диод/тиристор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSCSM70VM19C3AG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MSCSM70VM19C3AG, Модуль; SiC диод/тиристор/транзистор; 700В; 98А; SP3F; Idm: 250А" 1.

0.0
NXH020U90MNF2PTG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусPIM20 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...18В Напряжение сток-исток900В
66 22183 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NXH020U90MNF2PTG, Модуль; диод/транзистор; 900В; 149А; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447А" 1.

0.0
S2M0080120N-SMC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В
5 26849 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "S2M0080120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; 176Вт" 1.

0.0
S3M0040120N-SMC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...20В
4 80634 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "S3M0040120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 46А; SOT227B; винтами; 483Вт" 1.

0.0
SK280MB10
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
23 04313 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK280MB10 24920970, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 335А; SEMITOP3; Press-in PCB" 1.

0.0
STE145N65M5
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±25В
10 33891 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STE145N65M5, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 90А; ISOTOP; винтами; Idm: 572А" 1.

0.0
STE48NM50
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В
5 71215 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STE48NM50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 30А; ISOTOP; винтами; Idm: 192А" 1.

0.0
STE53NC50
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В
6 60299 
Доступность: 18 шт.
+

Минимальное количество для товара "STE53NC50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; винтами; Idm: 212А" 1.

0.0
STE70NM60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В
9 75880 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STE70NM60, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 70А; ISOTOP; винтами; Idm: 44А" 1.

0.0
STE88N65M5
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±25В
8 86796 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STE88N65M5, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 55,7А; ISOTOP; винтами; 494Вт" 1.

0.0
VMM300-03F
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
76 87148 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА" 1.

0.0
VMM650-01F
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-Li Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
102 23680 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™" 1.

0.0
VMO550-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
93 33011 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC" 1.

0.0
VMO60-05F
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора405нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусTO240AA
14 27113 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт" 1.

0.0
VMO650-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2,3мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
53 82923 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА" 1.

0.0
VS-FA40SA50LC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
6 77729 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-FA40SA50LC, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 29А; SOT227B; винтами; 261Вт" 1.

0.0
VS-FC270SA20
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-FC270SA20, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 219А; SOT227B; винтами; 937Вт" 1.

0.0
VS-FC420SA10
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
6 09859 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA10, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 330А; SOT227B; винтами; 652Вт" 1.

Показать еще 10 товаров