Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Памяти DRAM - микросхемы - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
AS4C16M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; лоток
0.0
AS4C16M16D1-5BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа15нс МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; лоток" 1.

AS4C16M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; бобина
0.0
AS4C16M16D1-5BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа15нс МонтажSMD Обозначение производителяAS4C16M16D1-5BINTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; бобина" 1.

AS4C16M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C16M16D1A-5TCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусTSOP66 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C16M16D1A-5TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
4C16M16D1A-5TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина КорпусTSOP66 II МонтажSMD Обозначение производителяAS4C16M16D1A-5TCNTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1A-5TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C16M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C16M16D1A-5TIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусTSOP66 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C16M16D1A-5TINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
4C16M16D1A-5TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина КорпусTSOP66 II МонтажSMD Обозначение производителяAS4C16M16D1A-5TINTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1A-5TINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C16M16D2-25BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
0.0
AS4C16M16D2-25BCN
Вид памятиDDR2, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа12,5нс КорпусFBGA84
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D2-25BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток" 1.

AS4C16M16D2-25BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс
0.0
4C16M16D2-25BCNTR
Вид памятиDDR2, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа12,5нс КорпусFBGA84 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D2-25BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс" 1.

AS4C16M16D2-25BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
0.0
AS4C16M16D2-25BIN
Вид памятиDDR2, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа12,5нс КорпусFBGA84
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D2-25BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток" 1.

AS4C16M16D2-25BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс
0.0
4C16M16D2-25BINTR
Вид памятиDDR2, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа12,5нс КорпусFBGA84 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D2-25BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс" 1.

AS4C16M16MD1-6BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 166МГц; 6,5нс
0.0
AS4C16M16MD1-6BCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6,5нс КорпусFPBGA60 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16MD1-6BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 166МГц; 6,5нс" 1.

AS4C16M16MD1-6BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 166МГц; FBGA60
0.0
4C16M16MD1-6BCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина КорпусFBGA60 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C16M16MD1-6BCNTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16MD1-6BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 166МГц; FBGA60" 1.

AS4C16M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16MSA-6BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусFBGA54
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16MSA-6BINT
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусFBGA54
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-6BAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-6BANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6нс
0.0
AS4C16M16SA-6BIN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусTFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6нс" 1.

AS4C16M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-6BINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C16M16SA-6TAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C16M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
0.0
AS4C16M16SA-6TANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина" 1.

AS4C16M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-6TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
000 ₽
Доступность: 141 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-6TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C16M16SA-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
000 ₽
Доступность: 1015 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C16M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-7BCN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусTFBGA55 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; 0÷70°C" 1.

Показать еще 24 товара
Категории