Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Памяти DRAM - микросхемы - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
AS4C1G8D4A-62BIN, IC: память DRAM; 8ГбSDRAM; 1Гx8бит; 1,6ГГц; FBGA78; -40÷95°C
0.0
AS4C1G8D4A-62BIN
Вид памятиDDR4, SDRAM КорпусFBGA78 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C1G8D4A-62BIN Память8Гб SDRAM
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1G8D4A-62BIN, IC: память DRAM; 8ГбSDRAM; 1Гx8бит; 1,6ГГц; FBGA78; -40÷95°C" 1.

AS4C1G8D4A-62BINTR, IC: память DRAM; 8ГбSDRAM; 1Гx8бит; 1,6ГГц; FBGA78; -40÷95°C
0.0
AS4C1G8D4A-62BINTR
Вид памятиDDR4, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусFBGA78 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C1G8D4A-62BINTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1G8D4A-62BINTR, IC: память DRAM; 8ГбSDRAM; 1Гx8бит; 1,6ГГц; FBGA78; -40÷95°C" 1.

AS4C1M16S-6TCN, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II
0.0
AS4C1M16S-6TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP50 II
000 ₽
Доступность: 91 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1M16S-6TCN, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II" 1.

AS4C1M16S-6TCNR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II
0.0
AS4C1M16S-6TCNR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP50 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1M16S-6TCNR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II" 1.

AS4C1M16S-6TCNTR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II
0.0
AS4C1M16S-6TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTSOP50 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1M16S-6TCNTR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II" 1.

AS4C1M16S-6TIN, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II
0.0
AS4C1M16S-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP50 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1M16S-6TIN, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II" 1.

AS4C1M16S-6TINTR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II
0.0
AS4C1M16S-6TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP50 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1M16S-6TINTR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II" 1.

AS4C1M16S-7TCN, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP50 II
0.0
AS4C1M16S-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP50 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1M16S-7TCN, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP50 II" 1.

AS4C1M16S-7TCNTR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP50 II
0.0
AS4C1M16S-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP50 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C1M16S-7TCNTR, IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP50 II" 1.

AS4C256M16D3C-10BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C-10BCN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-10BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-10BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C10BCNTR
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-10BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-10BIN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C-10BIN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-10BIN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-10BINTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C10BINTR
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-10BINTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-12BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C-12BCN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-12BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-12BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C12BCNTR
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-12BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-12BIN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C-12BIN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-12BIN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-12BINTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96
0.0
4C256M16D3C12BINTR
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-12BINTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96" 1.

AS4C256M16D3C-93BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; лоток
0.0
4C256M16D3C-93BCN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,09нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-93BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; лоток" 1.

AS4C256M16D3C-93BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс
0.0
4C256M16D3C93BCNTR
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,09нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3C-93BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс" 1.

AS4C256M16D3LC-10BAN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток
0.0
4C256M16D3LC-10BAN
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3LC-10BAN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток" 1.

AS4C256M16D3LC-10BANTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс
0.0
4C256M16D3LC10BANT
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3LC-10BANTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс" 1.

AS4C256M16D3LC-10BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток
0.0
4C256M16D3LC-10BCN
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3LC-10BCN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток" 1.

AS4C256M16D3LC-10BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс
0.0
4C256M16D3LC10BCNT
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3LC-10BCNTR, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс" 1.

AS4C256M16D3LC-10BIN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток
0.0
4C256M16D3LC-10BIN
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M16D3LC-10BIN, IC: память DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток" 1.

Показать еще 24 товара
Категории