Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

FDS8858CZ, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 8,6/-7,3А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS8858CZ

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46/24нC КорпусSO8 МонтажSMD

171⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS8858CZ, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 8,6/-7,3А; 2Вт; SO8" 1.

FDS89141, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS89141

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,1нC КорпусSO8 МонтажSMD

590⁹¹ ^₽

Доступность: 1965 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS89141, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8" 1.

FDS89161, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS89161

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSO8 МонтажSMD

268⁹⁴ ^₽

Доступность: 2255 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS89161, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8" 1.

FDS89161LZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS89161LZ

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

266¹⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS89161LZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8" 1.

FDS8935, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -80В; -2,1А; 3,1Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS8935

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

246²¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS8935, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -80В; -2,1А; 3,1Вт; SO8" 1.

FDS8949, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS8949

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSO8 МонтажSMD

279³⁶ ^₽

Доступность: 1932 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS8949, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; 2Вт; SO8" 1.

FDS8958B, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

0.0

КОД:

FDS8958B

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD

117⁴² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS8958B, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

FDS8978, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 49А; 1,6Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS8978

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусSO8 МонтажSMD

158¹⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS8978, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 49А; 1,6Вт; SO8" 1.

FDS8984, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7А; 1,6Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS8984

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD

201⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS8984, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7А; 1,6Вт; SO8" 1.

FDS9926A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS9926A

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD

187⁵⁰ ^₽

Доступность: 581 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9926A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,5А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9933A, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS9933A

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSO8 МонтажSMD

231⁰⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9933A, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

FDS9934C

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8

156²⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS9945

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD

138²⁶ ^₽

Доступность: 2457 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FDS9958

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSO8 МонтажSMD

177⁰⁸ ^₽

Доступность: 704 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8" 1.

FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F

0.0

КОД:

FDY1002PZ

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD

108⁹⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А

0.0

КОД:

FMM150-0075X2F

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Конструкция диодадва последовательных диода

4 957³⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А

0.0

КОД:

FMM22-05PF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Конструкция диодадва последовательных диода

4 977²⁷ ^₽

Доступность: 23 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А

0.0

КОД:

FMM22-06PF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Конструкция диодадва последовательных диода

5 436⁵⁵ ^₽

Доступность: 25 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс

0.0

КОД:

FMM50-025TF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Конструкция диодадва последовательных диода

4 519⁸⁹ ^₽

Доступность: 25 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс

0.0

КОД:

FMM75-01F

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Конструкция диодадва последовательных диода

4 707³⁹ ^₽

Доступность: 25 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

FQS4901TF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD

229¹⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8" 1.

HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8

0.0

КОД:

HP8KA1TB

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8

219⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

0.0

КОД:

HP8M31TB1

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А

0.0

КОД:

HP8M51TB1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC КорпусHSOP8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 1.