Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD

0.0

КОД:

MMFTN620KDW-AQ-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD

29³⁶ ^₽

Доступность: 3000 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А

0.0

КОД:

MMIX2F60N50P3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора96нC КорпусSMPD МонтажSMD

8 664⁷⁷ ^₽

Доступность: 20 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А" 1.

NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

0.0

КОД:

NDC7001C

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/2,2нC КорпусSuperSOT-6

138²⁶ ^₽

Доступность: 1210 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

0.0

КОД:

NDC7002N

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD

99⁴³ ^₽

Доступность: 325 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6

0.0

КОД:

NDC7003P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD

94⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

NDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

NDS9945

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

NDS9948

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD

154³⁶ ^₽

Доступность: 1912 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8" 1.

NDS9952A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

0.0

КОД:

NDS9952A

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NDS9952A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGD1100LT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

169⁵¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6" 1.

NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGD3148NT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

96⁵⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6" 1.

NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

0.0

КОД:

NTGD4167CT1G

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD

90⁹¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

NTHC5513T1G

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусChipFET

274⁶² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTHD3100CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

NTHD3100CT1G

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET

223⁴⁸ ^₽

Доступность: 1625 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTHD3100CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTHD3102CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

NTHD3102CT1G

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET

203⁶⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTHD3102CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTHD4502NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А

0.0

КОД:

NTHD4502NT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET МонтажSMD

231⁰⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTHD4502NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А" 1.

NTHD4508NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт

0.0

КОД:

NTHD4508NT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6нC КорпусChipFET МонтажSMD

177⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTHD4508NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт" 1.

NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт

0.0

КОД:

NTJD4001NT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

65³⁴ ^₽

Доступность: 2039 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В

0.0

КОД:

NTJD4105CT1G

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/4нC

46⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В

0.0

КОД:

NTJD4105CT2G

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD

76⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD

0.0

КОД:

NTJD4401NT1G

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363

80⁴⁹ ^₽

Доступность: 1790 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD" 1.

NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD

0.0

КОД:

NTJD5121NT1G

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363

62⁵⁰ ^₽

Доступность: 1635 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD" 1.

NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

NTLJD3119CTBG

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTLUD4C26NTAG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,3А; 1,7Вт; uDFN6

0.0

КОД:

NTLUD4C26NTAG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTLUD4C26NTAG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,3А; 1,7Вт; uDFN6" 1.

NTUD3169CZT5G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

NTUD3169CZT5G

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT963

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "NTUD3169CZT5G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.