Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.9

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SP8K31FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K31HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
304.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K32HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
320.95 
Доступность: 2331 шт.
+

Минимальное количество для товара "SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8K52FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
187.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SP8M10FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт" 1.

0.0
SP8M6FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9/5,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт" 1.

0.0
SP8M8FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт" 1.

0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
60.87 
Доступность: 4341 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

0.0
SQ4282EY-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
188.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 2500.

0.0
SQ4284EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
347.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8" 1.

0.0
SQ4940AEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусSO8 МонтажSMD
124.90 
Доступность: 382 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А" 1.

0.0
SQ4961EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт" 2500.

0.0
SQ9945BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
245.06 
Доступность: 826 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8" 1.

0.0
SQJ974EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
237.15 
Доступность: 2918 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 17А; 16Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJB70EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJB70EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJQ900E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
360.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SQJQ960EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
411.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SSM6L12TU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUF6 МонтажSMD
44.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SSM6L12TU,LF(T, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 0,5/-0,5А; Idm: 1,5А" 3.

0.0
SSM6N15AFU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SSM6N15AFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,1А; 0,3Вт; SOT363" 5.

0.0
SSM6N35FE
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SSM6N35FE,LM(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563; ESD" 5.

0.0
SSM6N40TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусUF6 МонтажSMD
26.09 
Доступность: 330 шт.
+

Минимальное количество для товара "SSM6N40TU,LXGF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6" 3.

0.0
SSM6N7002CFU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27нC КорпусSC88
12.65 
Доступность: 3600 шт.
+

Минимальное количество для товара "SSM6N7002CFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD" 10.

0.0
SSM6N7002KFU
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,39нC КорпусSC88
22.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SSM6N7002KFU,LF(T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; 285мВт; SC88; ESD" 5.

0.0
STL36DN6F7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL36DN6F7 Полярностьполевой
142.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL36DN6F7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL38DN6F7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL38DN6F7AG Полярностьполевой
196.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL38DN6F7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL40DN3LLH5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL40DN3LLH5 Полярностьполевой
256.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL40DN3LLH5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL50DN6F7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL50DN6F7 Полярностьполевой
271.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL50DN6F7, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL52DN4LF7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL52DN4LF7AG Полярностьполевой
197.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL52DN4LF7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL64DN4F7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL64DN4F7AG Полярностьполевой
224.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL64DN4F7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL66DN3LLH5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL66DN3LLH5 Полярностьполевой
327.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL66DN3LLH5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL76DN4LF7AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL76DN4LF7AG Полярностьполевой
249.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL76DN4LF7AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL7DN6LF3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL7DN6LF3 Полярностьполевой
289.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL7DN6LF3, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL8DN10LF3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL8DN10LF3 Полярностьполевой
373.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL8DN10LF3, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL8DN6LF3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL8DN6LF3 Полярностьполевой
267.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STL8DN6LF3, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STL8DN6LF6AG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL8DN6LF6AG Полярностьполевой
215.02 
Доступность: 2980 шт.
+

Минимальное количество для товара "STL8DN6LF6AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
STS4DNF60L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
371.54 
Доступность: 386 шт.
+

Минимальное количество для товара "STS4DNF60L, Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
STS5DNF20V
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
41.90 
Доступность: 307 шт.
+

Минимальное количество для товара "STS5DNF20V, Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; полевой; 20В; 5А; 1,6Вт; SO8" 1.

0.0
TPCP8303
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPS8
128.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TPCP8303,LF(CM, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; 1,48Вт; PS8; ESD" 1.

0.0
TPS1120D
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора5,45нC КорпусSO8
369.96 
Доступность: 75 шт.
+

Минимальное количество для товара "TPS1120D, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -15В; -0,53А; Idm: 7А; SO8; ESD" 1.

0.0
TQM076NH04DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора19нC КорпусPDFN56U МонтажSMD
292.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM076NH04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 40А; 55,6Вт; PDFN56U" 1.

0.0
TQM076NH04LDCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора22,4нC КорпусPDFN56U МонтажSMD
287.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM076NH04LDCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 40А; 55,6Вт; PDFN56U" 1.

0.0
TQM110NB04DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора26нC КорпусPDFN56U МонтажSMD
246.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM110NB04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 40А; 58Вт; PDFN56U" 1.

0.0
TQM138KDCU6-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,8нC КорпусSOT363 МонтажSMD
50.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM138KDCU6 RFG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 320мА; 320мВт; SOT363" 1.

0.0
TQM150NB04DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора18нC КорпусPDFN56U МонтажSMD
728.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM150NB04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 9А; 16Вт; PDFN56U" 1.

0.0
TQM250NB06DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора24нC КорпусPDFN56U МонтажSMD
148.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM250NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 30А; 58Вт; PDFN56U" 1.

0.0
TQM2N7002KDCU6-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT363 МонтажSMD
50.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM2N7002KDCU6 RFG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 330мА; 337мВт; SOT363" 1.

0.0
TQM300NB06DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора20нC КорпусPDFN56U МонтажSMD
173.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM300NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 25А; 48Вт; PDFN56U" 1.

0.0
TQM84KDCU6-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD
50.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM84KDCU6 RFG, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -170мА; 320мВт; SOT363" 1.

0.0
TSM110NB04DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора25нC КорпусPDFN56 МонтажSMD
224.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM110NB04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 10А; 9,6Вт; PDFN56" 1.

0.0
TSM150NB04DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора18нC КорпусPDFN56 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM150NB04DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 8А; 8Вт; PDFN56" 1.

0.0
TSM250NB06DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора22нC КорпусPDFN56 МонтажSMD
207.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM250NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 7А; 9,6Вт; PDFN56" 1.

0.0
TSM2N7002AKDCU6RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
55.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM2N7002AKDCU6 RFG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 220мА; 240мВт; SOT363" 1.

0.0
TSM300NB06DCR-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора17нC КорпусPDFN56 МонтажSMD
167.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM300NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6А; 8Вт; PDFN56" 1.

0.0
TSM4936DCS-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора13нC КорпусSOP8 МонтажSMD
129.64 
Доступность: 250 шт.
+

Минимальное количество для товара "TSM4936DCS RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,9А; 2,1Вт; SOP8" 1.

0.0
TSM4946DCS-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора30нC КорпусSOP8 МонтажSMD
151.78 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM4946DCS RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; 1,7Вт; SOP8" 1.

0.0
UM6J1NTN
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

0.0
UM6K31NFHATCN
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD
71.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UM6K31NFHATCN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6" 1.

0.0
UM6K31NTN
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD
57.71 
Доступность: 2847 шт.
+

Минимальное количество для товара "UM6K31NTN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6" 1.

0.0
UM6K33NTN
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD
58.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UM6K33NTN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
UM6K34NTCN
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD
60.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UM6K34NTCN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
US6J11TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT6
105.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "US6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 1Вт; ESD" 1.

0.0
US6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусTUMT6
143.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "US6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

0.0
US6K2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусTUMT6
139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6" 1.

0.0
US6K4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTUMT6
147.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

0.0
US6M11TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8/2,4нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А" 1.

0.0
US6M1TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
71.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт" 1.

0.0
US6M2TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
124.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт" 1.

0.0
UT6JA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
121.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

0.0
UT6JA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
169.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

0.0
UT6MA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3/6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
90.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

0.0
UT6MA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
196.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

0.0
VT6M1T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT6 МонтажSMD
60.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VT6M1T2CR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А" 1.

0.0
WM02DH08D-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD
50.59 
Доступность: 2829 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DH08D, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363; ESD" 1.

0.0
WM02DN080C-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6
96.44 
Доступность: 489 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DN080C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

0.0
WM02DN085C-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6
96.44 
Доступность: 500 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DN085C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

0.0
WM02DN08D-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD
50.59 
Доступность: 2589 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DN08D, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT363; ESD" 1.

0.0
WM02DN08T-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD
51.38 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DN08T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563; ESD" 1.

0.0
WM02DN095C-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6
96.44 
Доступность: 500 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DN095C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

0.0
WM02DN110C-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6
71.94 
Доступность: 500 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DN110C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

0.0
WM02DN48A-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOP8 МонтажSMD Обозначение производителяWM02DN48A
66.40 
Доступность: 2975 шт.
+

Минимальное количество для товара "WM02DN48A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOP8" 1.

Показать еще 63 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж