Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R380C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

361⁷⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R420CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

352²⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R660CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB80N04S2H4

Вид каналаобогащенный Заряд затвора103нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

697⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB80N06S2L07

Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

467⁸⁰ ^₽

Доступность: 928 шт.

Минимальное количество для товара "IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N06S405ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт

0.0

КОД:

IPB80N06S405ATMA2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB80N06S405ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт" 1.

IPB80N08S2L07ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB80N08S2L07

Вид каналаобогащенный Заряд затвора183нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB80N08S2L07ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB90R340C3ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В

775⁵⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

IPC100N04S5-1R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S51R2

Вид каналаобогащенный Заряд затвора131нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5-1R7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S51R7

Вид каналаобогащенный Заряд затвора83нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S51R9

Вид каналаобогащенный Заряд затвора65нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

154³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S52R8

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

218⁷⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S5L1R1

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,14мкC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

270⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S5L1R5

Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

182⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S5L1R9

Вид каналаобогащенный Заряд затвора81нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

268⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC100N04S5L2R6

Вид каналаобогащенный Заряд затвора55нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

143⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC50N04S5-5R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC50N04S55R8

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

196⁰² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5-5R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC50N04S5L-5R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC50N04S5L5R5

Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

168⁵⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5L-5R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC70N04S5-4R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC70N04S54R6

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24,2нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

238⁶⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5-4R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC70N04S5L-4R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC70N04S5L4R2

Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

158¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5L-4R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC90N04S53R6

Вид каналаобогащенный Заряд затвора32,6нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

147⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IPC90N04S5L3R3

Вид каналаобогащенный Заряд затвора40нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

169⁵¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD025N06NATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

467⁸⁰ ^₽

Доступность: 1705 шт.

Минимальное количество для товара "IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD031N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

198⁸⁶ ^₽

Доступность: 528 шт.

Минимальное количество для товара "IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.