Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

BS170FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15мА; 0,33Вт; SOT23

0.0

КОД:

BS170FTA

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

128⁷⁹ ^₽

Доступность: 4281 шт.

Минимальное количество для товара "BS170FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15мА; 0,33Вт; SOT23" 1.

BSB008NE2LXXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 180А; 89Вт

0.0

КОД:

BSB008NE2LXXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB008NE2LXXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 180А; 89Вт" 1.

BSB012NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 170А; 57Вт

0.0

КОД:

BSB012NE2LXIXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB012NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 170А; 57Вт" 1.

BSB013NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 103А; 57Вт

0.0

КОД:

BSB013NE2LXIXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB013NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 103А; 57Вт" 1.

BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт

0.0

КОД:

BSB014N04LX3GXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт" 1.

BSB015N04NX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт

0.0

КОД:

BSB015N04NX3GXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB015N04NX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт" 1.

BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт

0.0

КОД:

BSB028N06NN3GXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт" 1.

BSB044N08NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 68А; 78Вт

0.0

КОД:

BSB044N08NN3GXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB044N08NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 68А; 78Вт" 1.

BSB056N10NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 52А; 78Вт

0.0

КОД:

BSB056N10NN3GXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MN, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB056N10NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 52А; 78Вт" 1.

BSB104N08NP3GXUSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 32А; 48Вт

0.0

КОД:

BSB104N08NP3GXUSA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB104N08NP3GXUSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 32А; 48Вт" 1.

BSB165N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; 78Вт

0.0

КОД:

BSB165N15NZ3GXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB165N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; 78Вт" 1.

BSB280N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 30А; 57Вт

0.0

КОД:

BSB280N15NZ3GXUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSB280N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 30А; 57Вт" 1.

BSC007N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт

0.0

КОД:

BSC007N04LS6ATMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC007N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт" 1.

BSC009NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC009NE2LS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC009NE2LS5IATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC009NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC009NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт

0.0

КОД:

BSC010N04LS6ATMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт" 1.

BSC010N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010N04LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 38А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010NE2LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение сток-исток25В Обозначение производителяBSC010NE2LSIATMA1

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 38А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC011N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC011N03LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC011N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC011N03LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC011N03LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC011N03LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.