Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

BSC014N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N04LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N06NS

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

531²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014NE2LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC016N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

280³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC016N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC016N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC016N06NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC016N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC017N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC017N04NSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC017N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC018N04LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

218⁷⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC019N02KSGAUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC019N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC019N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC019N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC019N04NSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC019N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC022N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 79Вт

0.0

КОД:

BSC022N04LS6ATMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC022N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 79Вт" 1.

BSC022N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC022N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC022N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC024NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 25А; 48Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC024NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC024NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 25А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC025N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

236⁷⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC026N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC026N02KSGAUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC026N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC026N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 63Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC026N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC026N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC026N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC026N08NS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC026N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC026NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 66А; 29Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC026NE2LS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC026NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 66А; 29Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC027N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC027N04LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC027N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC027N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 60В; 84А; Idm: 400А; 83Вт

0.0

КОД:

BSC027N06LS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC027N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 60В; 84А; Idm: 400А; 83Вт" 1.

BSC028N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC028N06LS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC028N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC028N06NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

431⁸² ^₽

Доступность: 3426 шт.

Минимальное количество для товара "BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.