Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

BSS806NEH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

0.0

КОД:

BSS806NEH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В

75⁷⁶ ^₽

Доступность: 7946 шт.

Минимальное количество для товара "BSS806NEH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

0.0

КОД:

BSS806NH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В

83³³ ^₽

Доступность: 4079 шт.

Минимальное количество для товара "BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323

0.0

КОД:

BSS816NWH6327XTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В

57⁷⁷ ^₽

Доступность: 3579 шт.

Минимальное количество для товара "BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323" 1.

BSS87,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,2А; 580мВт; SC62,SOT89

0.0

КОД:

BSS87.115

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSC62, SOT89 МонтажSMD

67²³ ^₽

Доступность: 235 шт.

Минимальное количество для товара "BSS87,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,2А; 580мВт; SC62,SOT89" 1.

BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4

0.0

КОД:

BSS87H6327FTSA1

Вид каналаобогащенный КорпусSOT89-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток240В

97⁵⁴ ^₽

Доступность: 666 шт.

Минимальное количество для товара "BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4" 1.

BST82,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 830мВт; SOT23,TO236AB

0.0

КОД:

BST82.215

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

27⁴⁶ ^₽

Доступность: 49610 шт.

Минимальное количество для товара "BST82,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

BST82,235, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,12А; Idm: 0,8А; 0,83Вт

0.0

КОД:

BST82.235

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BST82,235, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,12А; Idm: 0,8А; 0,83Вт" 1.

BSZ014NE2LS5IFATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ014NE2LS5IFATMA

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ014NE2LS5IFATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ018NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

246²¹ ^₽

Доступность: 4971 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ018NE2LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

338⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ019N03LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

303⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ025N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

268⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ028N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

223⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ034N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

304⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ035N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ035N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ035N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ035N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ036NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 37Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ036NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ036NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 37Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ040N04LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

203⁶⁰ ^₽

Доступность: 1947 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ042N06NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

294⁵¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0506NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

208³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ050N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

232⁹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ050N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ058N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ058N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ058N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ065N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 26Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ065N03LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ065N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 26Вт; PG-TSDSON-8" 1.