Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N THT

BXS049N08P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 85В; 79А; Idm: 560А; 189Вт; TO220

0.0

КОД:

BXS049N08P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора72нC КорпусTO220 МонтажTHT

258⁵² ^₽

Доступность: 7 шт.

Минимальное количество для товара "BXS049N08P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 85В; 79А; Idm: 560А; 189Вт; TO220" 1.

BXS050N08P, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

BXS050N08P

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXS050N08P Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX

140¹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXS050N08P, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXS050N10BP, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

BXS050N10BP

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXS050N10BP Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX

140¹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXS050N10BP, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXS055N08P, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

BXS055N08P

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXS055N08P Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX

140¹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXS055N08P, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXW10M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А; 80,6Вт

0.0

КОД:

BXW10M1K2H

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

1 543⁵⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW10M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А; 80,6Вт" 1.

BXW120R015H, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

BXW120R015H

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW120R015H Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX

7 119³² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW120R015H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXW120R036H, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

BXW120R036H

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW120R036H Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX

2 644⁸⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW120R036H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXW120R036H4, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

BXW120R036H4

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW120R036H4 Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX

2 644⁸⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW120R036H4, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXW18M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 72А; 96,9Вт

0.0

КОД:

BXW18M1K2H

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора44нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW18M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 72А; 96,9Вт" 1.

BXW3M1K7H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3А; Idm: 12А; 69Вт

0.0

КОД:

BXW3M1K7H

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

845⁶⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW3M1K7H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3А; Idm: 12А; 69Вт" 1.

BXW60M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

BXW60M1K2H

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW60M1K2H Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX

3 957³⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXW60M1K2J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт

0.0

КОД:

BXW60M1K2J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора170нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

4 693¹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт" 1.

C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс

0.0

КОД:

C2M0025120D

Вид каналаобогащенный Время готовности45нс Заряд затвора161нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

20 284⁰⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс" 1.

C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс

0.0

КОД:

C2M0040120D

Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

10 519⁸⁹ ^₽

Доступность: 30 шт.

Минимальное количество для товара "C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс" 1.

C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс

0.0

КОД:

C2M0045170D

Вид каналаобогащенный Время готовности70нс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

24 460²³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс" 1.

C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс

0.0

КОД:

C2M0080120D

Вид каналаобогащенный Время готовности32нс Заряд затвора62нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

5 985⁸⁰ ^₽

Доступность: 3 шт.

Минимальное количество для товара "C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс" 1.

C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3

0.0

КОД:

C2M0160120D

Вид каналаобогащенный Время готовности23нс Заряд затвора34нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

3 042⁶¹ ^₽

Доступность: 25 шт.

Минимальное количество для товара "C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3" 1.

C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс

0.0

КОД:

C2M1000170D

Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

2 181⁸² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс" 1.

C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт

0.0

КОД:

C3M0015065K

Вид каналаобогащенный Заряд затвора188нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В

10 440³⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт" 1.

C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт

0.0

КОД:

C3M0016120K

Вид каналаобогащенный Заряд затвора211нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В

18 792⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт" 1.

C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс

0.0

КОД:

C3M0030090K

Вид каналаобогащенный Время готовности62нс Заряд затвора87нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

10 142⁰⁵ ^₽

Доступность: 30 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс" 1.

C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

0.0

КОД:

C3M0040120D

Вид каналаобогащенный Время готовности75нс Заряд затвора101нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

3 500⁰⁰ ^₽

Доступность: 28 шт.

Минимальное количество для товара "C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

0.0

КОД:

C3M0040120K

Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора99нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

3 500⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт

0.0

КОД:

C3M0060065D

Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В

2 923³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.