Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
AOTS21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 6,6А; 2,5Вт; TSOP6
0.0
AOTS21115C
Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
2936 ₽
Доступность: 1410 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOTS21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 6,6А; 2,5Вт; TSOP6" 1.

AOTS21311C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 30В; 5,9А; 2,5Вт; TSOP6
0.0
AOTS21311C
Вид каналаобогащенный Заряд затвора26нC КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
5019 ₽
Доступность: 671 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOTS21311C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 30В; 5,9А; 2,5Вт; TSOP6" 1.

AOTS21313C, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
AOTS21313C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOTS21313C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
9754 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOTS21313C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

AOTS21319C, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
AOTS21319C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOTS21319C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
9754 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOTS21319C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

ATP112-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -25А; Idm: -75А; 40Вт; ATPAK
0.0
ATP112-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33,5нC КорпусATPAK
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ATP112-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -25А; Idm: -75А; 40Вт; ATPAK" 1.

ATP113-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -100А; 50Вт; ATPAK
0.0
ATP113-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусATPAK
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ATP113-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -100А; 50Вт; ATPAK" 1.

ATP302-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -70А; 70Вт; ATPAK; ESD
0.0
ATP302-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусATPAK МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ATP302-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -70А; 70Вт; ATPAK; ESD" 1.

ATP304-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -100А; 90Вт; ATPAK; ESD
0.0
ATP304-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусATPAK МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ATP304-TL-H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -100А; 90Вт; ATPAK; ESD" 1.

AUIRF4905S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -44А; 170Вт; D2PAK
0.0
AUIRF4905S
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 35606 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRF4905S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -44А; 170Вт; D2PAK" 1.

AUIRF7342QTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
0.0
AUIRF7342QTR
Вид каналаобогащенный Заряд затвора26нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRF7342QTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8" 1.

AUIRFR5305TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -31А; 110Вт; DPAK
0.0
AUIRFR5305TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRFR5305TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -31А; 110Вт; DPAK" 1.

AUIRFR5305TRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -22А; Idm: -110А; 110Вт
0.0
AUIRFR5305TRL
Вид каналаобогащенный КорпусTO252AA МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-55В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRFR5305TRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -22А; Idm: -110А; 110Вт" 1.

AUIRFR9024NTRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -8А; Idm: -44А; 38Вт; DPAK
0.0
AUIRFR9024NTRL
Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRFR9024NTRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -8А; Idm: -44А; 38Вт; DPAK" 1.

BS250FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт
0.0
BS250FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
13636 ₽
Доступность: 1579 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS250FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт" 1.

BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC030P03NS3GAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
51136 ₽
Доступность: 3085 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC060P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 83Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC060P03NS3EGATMA
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC060P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC084P03NS3EGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC084P03NS3EGATMA
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3EGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC084P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
21402 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363
0.0
BSD223PH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
4924 ₽
Доступность: 1819 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363" 1.

BSH201,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB
0.0
BSH201.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
6913 ₽
Доступность: 3605 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH201,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

BSH203,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB
0.0
BSH203.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
6723 ₽
Доступность: 2450 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH203,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 890мВт; SOT23,TO236AB
0.0
BSH205G2R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
8239 ₽
Доступность: 6213 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 890мВт; SOT23,TO236AB" 1.

BSL207SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 2Вт; PG-TSOP-6
0.0
BSL207SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
11648 ₽
Доступность: 2861 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL207SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

BSL211SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6
0.0
BSL211SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
10322 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSL211SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)