Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223

0.0

КОД:

NTF2955T1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

253⁷⁹ ^₽

Доступность: 898 шт.

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223

0.0

КОД:

NTF5P03T3G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223" 1.

NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGS3136PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

216⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGS3433T1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

155³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGS3441T1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

78⁶⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6" 1.

NTGS3443T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; 1Вт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGS3443T1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

107⁰¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTGS3443T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; 1Вт; TSOP6" 1.

NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGS3455T1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

77⁶⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6

0.0

КОД:

NTGS4111PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

99⁴³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6" 1.

NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А

0.0

КОД:

NTHD3101FT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET МонтажSMD

176¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А" 1.

NTHS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET

0.0

КОД:

NTHS4101PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусChipFET МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTHS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET" 1.

NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт

0.0

КОД:

NTJS3151PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

88⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт

0.0

КОД:

NTJS4151PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

69¹³ ^₽

Доступность: 210 шт.

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723

0.0

КОД:

NTK3139PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В

79⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

NTMD6P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

NTMD6P02R2G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTMD6P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8

0.0

КОД:

NTMS10P02R2G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 1.

NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR0202PLT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD

57⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23" 1.

NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR1P02LT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD

45⁴⁵ ^₽

Доступность: 503 шт.

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

NTR1P02LT3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR1P02LT3G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

NTR1P02T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR1P02T1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

96⁵⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTR1P02T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,4Вт; SOT23" 1.

NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR2101PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

64³⁹ ^₽

Доступность: 1971 шт.

Минимальное количество для товара "NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23" 1.

NTR3A052PZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 0,72Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR3A052PZT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

86¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTR3A052PZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 0,72Вт; SOT23" 1.

NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR4101PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD

74⁸¹ ^₽

Доступность: 3515 шт.

Минимальное количество для товара "NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23" 1.

NTR4171PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 1,25Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR4171PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD

100³⁸ ^₽

Доступность: 154 шт.

Минимальное количество для товара "NTR4171PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 1,25Вт; SOT23" 1.

NTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23

0.0

КОД:

NTR4502PT1G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD

60⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "NTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.