Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт
0.0
SI7617DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
16288 ₽
Доступность: 2790 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А
0.0
SI7619DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
14583 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А" 1.

SI7623DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
0.0
SI7623DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7623DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт
0.0
SI7625DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
18277 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
0.0
SI7629DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
20265 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

SI7633DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -100А
0.0
SI7633DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7633DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -100А" 1.

SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт
0.0
SI7655ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
14583 ₽
Доступность: 2850 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт" 1.

SI7655DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А
0.0
SI7655DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7655DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А" 1.

SI7949DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт
0.0
SI7949DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт" 1.

SI8401DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А
0.0
SI8401DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

SI8401DB-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А
0.0
SI8401DB-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А
0.0
SI8409DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А" 1.

SI8413DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; Idm: -25А
0.0
SI8413DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8413DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; Idm: -25А" 1.

SI8425DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,3А; Idm: -25А
0.0
SI8425DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8425DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,3А; Idm: -25А" 1.

SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А
0.0
SI8429DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А" 1.

SI8457DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А
0.0
SI8457DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8457DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А" 1.

SI8481DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,7А; Idm: -30А
0.0
SI8481DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8481DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,7А; Idm: -30А" 1.

SI8483DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -16А; Idm: -25А
0.0
SI8483DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8483DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -16А; Idm: -25А" 1.

SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт
0.0
SI8487DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
15909 ₽
Доступность: 883 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт" 1.

SI8489EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,4А; Idm: -20А
0.0
SI8489EDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8489EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,4А; Idm: -20А" 1.

SI8497DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -13А; Idm: -20А
0.0
SI8497DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8497DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -13А; Idm: -20А" 1.

SI8499DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16А; Idm: -20А
0.0
SI8499DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8499DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16А; Idm: -20А" 1.

SI8817DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,9А; Idm: -15А
0.0
SI8817DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8817DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

SI8819EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -2,9А; Idm: -15А
0.0
SI8819EDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8819EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)