Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SI8821EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,3А; Idm: -15А

0.0

КОД:

SI8821EDB-T2-E1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI8821EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,3А; Idm: -15А" 1.

SI8823EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -15А

0.0

КОД:

SI8823EDB-T2-E1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI8823EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -15А" 1.

SI8851EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16,7А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SI8851EDB-T2-E1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI8851EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16,7А; Idm: -80А" 1.

SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9407BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD

152⁴⁶ ^₽

Доступность: 2400 шт.

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI9407BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD

233⁹⁰ ^₽

Доступность: 2082 шт.

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9407BDY-E3

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

233⁹⁰ ^₽

Доступность: 3557 шт.

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI9433BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9433BDY-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD

300¹⁹ ^₽

Доступность: 389 шт.

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8" 1.

SI9433BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI9433BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,2А; Idm: -20А" 1.

SI9435BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI9435BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А" 1.

SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9933CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD

142⁰⁵ ^₽

Доступность: 2582 шт.

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SIA413ADJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

94⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SIA413DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

155³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

SIA421DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -35А; 12Вт

0.0

КОД:

SIA421DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA421DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -35А; 12Вт" 1.

SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А

0.0

КОД:

SIA4263DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

45⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 1.

SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SIA4265EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

32²⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 1.

SIA427ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -12А; Idm: -50А; 12Вт

0.0

КОД:

SIA427ADJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA427ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SIA429DJT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

60⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 1.

SIA431DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А; 12Вт

0.0

КОД:

SIA431DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA431DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SIA433EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

76⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 1.

SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SIA437DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

73⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 1.

SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SIA441DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

178⁰³ ^₽

Доступность: 2965 шт.

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SIA445EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

62⁵⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 1.

SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SIA445EDJT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

42⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 1.