Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А

0.0

КОД:

SIR167DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

111⁷⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 1.

SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SIR401DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

120²⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А" 1.

SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SIR403EDP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

94⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А" 1.

SIR681DP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -71,9А; Idm: -125А

0.0

КОД:

SIR681DP-T1-RE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

296⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIR681DP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -71,9А; Idm: -125А" 1.

SIR871DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -48А; Idm: -300А

0.0

КОД:

SIR871DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

256⁶³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIR871DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -48А; Idm: -300А" 1.

SIR873DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -37А; Idm: 50А; 66,6Вт

0.0

КОД:

SIR873DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIR873DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -37А; Idm: 50А; 66,6Вт" 1.

SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А

0.0

КОД:

SIRA01DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

266¹⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А" 1.

SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А

0.0

КОД:

SIRA99DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

509⁴⁷ ^₽

Доступность: 2910 шт.

Минимальное количество для товара "SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А" 1.

SIS407ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -70А; 25Вт

0.0

КОД:

SIS407ADN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора168нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS407ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -70А; 25Вт" 1.

SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт

0.0

КОД:

SIS407DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

161⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт" 1.

SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А

0.0

КОД:

SIS413DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

104¹⁷ ^₽

Доступность: 4438 шт.

Минимальное количество для товара "SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А" 1.

SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SIS415DNT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

149⁶² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

SIS427EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -44,3А; Idm: -110А

0.0

КОД:

SIS427EDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

148⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS427EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -44,3А; Idm: -110А" 1.

SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SIS429DNT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

50¹⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А" 1.

SIS435DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -30А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SIS435DNT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

149⁶² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS435DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -30А; Idm: -80А" 1.

SIS443DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт

0.0

КОД:

SIS443DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

377⁸⁴ ^₽

Доступность: 2556 шт.

Минимальное количество для товара "SIS443DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А

0.0

КОД:

SIS447DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора181нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

150⁵⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А" 1.

SIS903DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SIS903DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

262³¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIS903DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -40А" 1.

SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А

0.0

КОД:

SISA01DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

191²⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SISA35DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

118³⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SISH101DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

140¹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SISH129DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

157²⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SISH407DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

150⁵⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А" 1.

SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SISH615ADN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

137³¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.