Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.16

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIS427EDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
148.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIS427EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -44,3А; Idm: -110А" 1.

0.0
SIS429DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
82.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А" 1.

0.0
SIS435DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
90.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIS435DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -30А; Idm: -80А" 1.

0.0
SIS443DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
257.71 
Доступность: 712 шт.
+

Минимальное количество для товара "SIS443DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SIS447DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора181нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
111.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIS447DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18А; Idm: -100А" 1.

0.0
SIS903DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
200.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIS903DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -40А" 1.

0.0
SISA01DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISA01DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

0.0
SISA35DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
76.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

0.0
SISH101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
143.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SISH129DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
170.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

0.0
SISH407DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
163.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А" 1.

0.0
SISH615ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
111.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SISH617DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISH617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

0.0
SISH625DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
125.69 
Доступность: 5096 шт.
+

Минимальное количество для товара "SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SISS05DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
167.59 
Доступность: 2497 шт.
+

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

0.0
SISS23DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора300нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
146.25 
Доступность: 8495 шт.
+

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

0.0
SISS27ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
162.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS27DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS61DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора231нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
185.77 
Доступность: 5708 шт.
+

Минимальное количество для товара "SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS63DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора236нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
189.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS65DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
157.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISS65DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; 75,2А; Idm: -120А" 1.

0.0
SISS67DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISS67DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 1.

0.0
SISS73DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
257.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А" 1.

0.0
SIUD401ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
55.34 
Доступность: 5900 шт.
+

Минимальное количество для товара "SIUD401ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А" 1.

0.0
SIUD403ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А" 1.

0.0
SMMBFJ175LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ175LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
111.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SMMBFJ175LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SMMBFJ177LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ177LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
57.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SPB18P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
180.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPB80P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
641.90 
Доступность: 447 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPD04P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
89.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD04P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
187.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD08P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
81.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD09P06PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
160.47 
Доступность: 1673 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD15P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
271.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD15P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
197.63 
Доступность: 2152 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD18P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
188.14 
Доступность: 2419 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD30P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
283.00 
Доступность: 1070 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD50P03LGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-5 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
377.87 
Доступность: 1221 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5" 1.

0.0
SPP15P10PLHXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
357.31 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPP15P10PLHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3" 1.

0.0
SPP18P06PHXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
319.37 
Доступность: 430 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPP18P06PHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3" 1.

0.0
SPP80P06PHXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
610.28 
Доступность: 22 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPP80P06PHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3" 1.

0.0
SQ1421EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусSC70-6
71.15 
Доступность: 1510 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD" 1.

0.0
SQ1431EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
100.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

0.0
SQ2301ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
90.12 
Доступность: 2829 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2303ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
60.87 
Доступность: 2900 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

0.0
SQ2309ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
91.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

0.0
SQ2315ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
99.60 
Доступность: 1392 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2319ADS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
135.18 
Доступность: 131 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2319ADS-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2325ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.88 
Доступность: 2578 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2337ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
132.02 
Доступность: 1443 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2351ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
110.67 
Доступность: 1197 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2361AEES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23
188.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2361ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
124.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2389ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
92.49 
Доступность: 1943 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ3427AEEV-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6
113.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

0.0
SQ3427EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
160.47 
Доступность: 1201 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ3427EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

0.0
SQ3457EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
52.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 3000.

0.0
SQ3457EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 1.

0.0
SQ3461EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
138.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3461EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,6А; 1,67Вт; TSOP6" 1.

0.0
SQ3481EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
52.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

0.0
SQ3493EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт" 3000.

0.0
SQ4153EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC КорпусSO8 МонтажSMD
265.61 
Доступность: 2326 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8" 1.

0.0
SQA401EEJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70" 1.

0.0
SQA405CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А" 3000.

0.0
SQA411CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
33.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А" 3000.

0.0
SQA413CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
26.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

0.0
SQD19P06-60L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
309.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD40031EL-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
292.49 
Доступность: 1259 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD45P03-12-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
335.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD50P08-28-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
517.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

0.0
SQJ409EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А" 3000.

0.0
SQJ431AEP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А" 3000.

0.0
SQJ431EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
325.69 
Доступность: 2707 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт" 1.

0.0
SQJ443EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
148.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ459EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
124.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А" 3000.

0.0
SQJ465EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
184.98 
Доступность: 2811 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ481EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
163.64 
Доступность: 1898 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQM100P10-19L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
610.28 
Доступность: 724 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQM120P06-07L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
596.05 
Доступность: 249 шт.
+

Минимальное количество для товара "SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт" 1.

0.0
SQS141ELNW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора141нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
86.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 3000.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж