Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.38

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
MD06P115-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
22.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MD06P115-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 3000.

0.0
MD06P115-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
60.08 
Доступность: 2475 шт.
+

Минимальное количество для товара "MD06P115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,1А; Idm: -20А; 1,5Вт" 1.

0.0
MD10P380-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
18.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MD10P380, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,6А; Idm: -9А; 1Вт" 3000.

0.0
MMBFJ175LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ175LT1G
70.36 
Доступность: 1598 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBFJ175LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 7мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ176
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ176
98.02 
Доступность: 56 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBFJ176, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ177LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ177LT1G
51.38 
Доступность: 9780 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBFJ177LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 1,5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ270
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ270
90.91 
Доступность: 3177 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBFJ270, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMFTP2301-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
41.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP2301-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; Idm: -10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP2301-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
60.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; Idm: -10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP2319-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP2319-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,2А; Idm: -30А; 0,75Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP2319-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
55.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP2319, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,2А; Idm: -30А; 0,75Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3008AK-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,55нC КорпусSOT23
22.92 
Доступность: 4623 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTP3008AK, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -230мА; Idm: -1А; 420мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3008K-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
35.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP3008K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -360мА; Idm: -1,4А; 500мВт" 1.

0.0
MMFTP3008K-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
22.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP3008K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -360мА; Idm: -1,4А; 500мВт" 1.

0.0
MMFTP3160-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
70.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP3160-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -20А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3160-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP3160, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -20А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP330K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP330K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -9,1А; 480мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP332-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
78.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTP332, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; Idm: -10А; 500мВт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3334K-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
52.96 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTP3334K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
MMFTP3334K-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
42.69 
Доступность: 3015 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTP3334K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж