Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт
0.0
IMW120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 490.91 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт
0.0
IMW120R045M1XKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-10...20В
3 837.15 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247
0.0
IMW120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 294.07 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247" 1.

IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247
0.0
IMW120R090M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 199.21 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247" 1.

IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247
0.0
IMW120R140M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 109.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247" 1.

IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт
0.0
IMW120R220M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 544.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

IMW120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт
0.0
IMW120R350M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 038.74 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт
0.0
IMW65R027M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
4 673.52 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт" 1.

IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт
0.0
IMW65R048M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
3 623.72 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247
0.0
IMW65R072M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
2 178.66 ₽
Доступность: 25 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247" 1.

IMW65R107M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт; TO247
0.0
IMW65R107M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
1 702.77 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMW65R107M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт; TO247" 1.

IMZ120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт
0.0
IMZ120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 429.25 ₽
Доступность: 28 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IMZ120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

IMZ120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт
0.0
IMZ120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 393.68 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMZ120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт" 1.

IMZ120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт
0.0
IMZ120R090M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 860.87 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMZ120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт" 1.

IMZ120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт
0.0
IMZ120R140M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 484.58 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMZ120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт" 1.

IMZ120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт
0.0
IMZ120R220M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 304.35 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMZ120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

IMZ120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт
0.0
IMZ120R350M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 211.07 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMZ120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

IMZA120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт
0.0
IMZA120R020M1H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
6 058.50 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMZA120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

IMZA65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 41А; Idm: 184А; 189Вт
0.0
IMZA65R027M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
6 004.74 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IMZA65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 41А; Idm: 184А; 189Вт" 1.

IMZA65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт
0.0
IMZA65R048M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
3 015.02 ₽
Доступность: 220 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IMZA65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки