Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
IPAN60R360PFD7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 6А; Idm: 24А
0.0
IPAN60R360PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
227.67 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPAN60R360PFD7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 6А; Idm: 24А" 1.

IPAN70R360P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 26,5Вт; TO220FP; ESD
0.0
IPAN70R360P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,4нC КорпусTO220FP
262.45 ₽
Доступность: 346 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPAN70R360P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 26,5Вт; TO220FP; ESD" 1.

IPAN70R450P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD
0.0
IPAN70R450P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13,1нC КорпусTO220FP
143.87 ₽
Доступность: 191 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPAN70R450P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD" 1.

IPAN70R750P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD
0.0
IPAN70R750P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора8,3нC КорпусTO220FP
87.75 ₽
Доступность: 193 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPAN70R750P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD" 1.

IPAN80R280P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 30Вт; TO220FP; ESD
0.0
IPAN80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора36нC КорпусTO220FP
708.30 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPAN80R280P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

IPAN80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD
0.0
IPAN80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO220FP
452.17 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPAN80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB010N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
1 366.01 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB014N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
621.34 ₽
Доступность: 47 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04LG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
523.32 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB015N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
822.13 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB015N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
834.78 ₽
Доступность: 1000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
596.05 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB017N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
768.38 ₽
Доступность: 1000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB017N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
964.43 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB019N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
477.47 ₽
Доступность: 917 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB024N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
547.04 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB025N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
771.54 ₽
Доступность: 1000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB025N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
885.38 ₽
Доступность: 362 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB026N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
357.31 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
0.0
IPB027N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
633.99 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки