Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BGA524N6E6327XTSA1, IC: усилитель РЧ; 1550÷1615МГц; Ch: 1; 1,5÷3,3В; TSNP6; 0,55дБ
BGA524N6E6327XTSA1
0.0
Нет в наличии
13447 ₽
Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусTSNP6 Коэффициент шумов0,55дБ МонтажSMT
BGS12P2L6E6327XTSA1, IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1,65÷3,4ВDC; 0,05÷6ГГц
BGS12P2L6E6327XTSA
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Конфигурация выходаSPDT КорпусTSLP-6-4 МонтажSMD Обозначение производителяBGS12P2L6E6327XTSA1 Полоса передаваемых частот0,05...6ГГц
BGS12SN6E6327XTSA1, IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1,8÷3,5ВDC; 0,1÷6ГГц
BGS12SN6E6327XTSA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаSPDT КорпусTSNP6 МонтажSMD Обозначение производителяBGS12SN6E6327XTSA1
BGS13S4N9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP3T; Ch: 3; TSNP9; 1,8÷3,3ВDC; 0,1÷3ГГц
BGS13S4N9
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Кол-во каналов3 Конфигурация выходаSP3T КорпусTSNP9 МонтажSMD Обозначение производителяBGS13S4N9E6327XTSA1
BGS14MPA9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1,65÷1,95ВDC; 0,05÷6ГГц
BGS14MPA9E6327
0.0
Нет в наличии
000 ₽
ИнтерфейсMIPI Кол-во каналов4 Конфигурация выходаSP4T КорпусATSLP-9-3 МонтажSMD
BGSA14GN10E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1,8÷3,6ВDC; 0,1÷5ГГц
BGSA14GN10E6327
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Кол-во каналов4 Конфигурация выходаSP4T КорпусTSNP10 МонтажSMD Обозначение производителяBGSA14GN10E6327XTSA1
BGSX22G2A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц
BGSX22G2A10
0.0
Доступность: 67 шт.
000 ₽
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаDPDT КорпусATSLP-10-2 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX22G2A10E6327XTSA1
BGSX22G5A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц
BGSX22G5A10
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаDPDT КорпусATSLP-10-5 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX22G5A10E6327XTSA1
BGSX24MU16E6327XUSA1, IC: RF switch; DP4T; MIPI; ULGA16-1; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷5ГГц
BGSX24MU16E6327
0.0
Нет в наличии
000 ₽
ИнтерфейсMIPI Конфигурация выходаDP4T КорпусULGA16-1 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX24MU16E6327XUSA1
BGT24LTR11N16E6327XTSA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; TSNP16; -40÷85°C; бобина,лента
BGT24LTR11
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид микросхемыMMIC, трансивер RF Вид упаковкибобина, лента Количество передатчиков1 Количество приемников1 КорпусTSNP16
BGT24MTR11E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ
BGT24MTR11
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид микросхемыMMIC, трансивер RF Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI Количество передатчиков1 Количество приемников1
BGT24MTR12E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ
BGT24MTR12
0.0
Доступность: 476 шт.
000 ₽
Вид микросхемыMMIC, трансивер RF Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI Количество передатчиков1 Количество приемников2
BGX50AE6327, Диод: импульсный; SMD; 50В; 0,14А; SOT143; 210мВт; бобина,лента
BGX50AE6327
0.0
Доступность: 2716 шт.
2841 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадиодный мост КорпусSOT143 МонтажSMD Обозначение производителяBGX50AE6327
BSB008NE2LXXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 180А; 89Вт
BSB008NE2LXXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSB012NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 170А; 57Вт
BSB012NE2LXIXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSB013NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 103А; 57Вт
BSB013NE2LXIXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт
BSB014N04LX3GXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSB015N04NX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт
BSB015N04NX3GXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт
BSB028N06NN3GXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSB044N08NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 68А; 78Вт
BSB044N08NN3GXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSB056N10NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 52А; 78Вт
BSB056N10NN3GXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MN, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSB104N08NP3GXUSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 32А; 48Вт
BSB104N08NP3GXUSA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSB165N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; 78Вт
BSB165N15NZ3GXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
BSB280N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 30А; 57Вт
BSB280N15NZ3GXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
Показать еще 24 товара