Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSC007N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт
BSC007N04LS6ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD
BSC009NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8
BSC009NE2LS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В
BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8
BSC009NE2LS5IATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В
BSC009NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
BSC009NE2LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт
BSC010N04LS6ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD
BSC010N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC010N04LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC010N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC010N04LSIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC010NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 96Вт; PG-TDSON-8
BSC010NE2LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSC010NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 38А; 96Вт; PG-TDSON-8
BSC010NE2LSIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение сток-исток25В Обозначение производителяBSC010NE2LSIATMA1
BSC011N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
BSC011N03LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC011N03LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
BSC011N03LSIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC014N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC014N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC014N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
BSC014N04LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC014N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
BSC014N04LSIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
BSC014N06NS
0.0
Нет в наличии
53125 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8
BSC014NE2LSIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
BSC016N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
28030 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC016N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
BSC016N03MSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC016N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC016N06NSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC017N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC017N04NSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
BSC018N04LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
21875 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC019N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8
BSC019N02KSGAUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
BSC019N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8
BSC019N04LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC019N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
BSC019N04NSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
Показать еще 24 товара