Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSC022N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 79Вт
BSC022N04LS6ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD
BSC022N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8
BSC022N04LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC024NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 25А; 48Вт; PG-TDSON-8
BSC024NE2LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
BSC025N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
23674 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC026N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8
BSC026N02KSGAUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
BSC026N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 63Вт; PG-TDSON-8
BSC026N04LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC026N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
BSC026N08NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSC026NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 66А; 29Вт; PG-TDSON-8
BSC026NE2LS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В
BSC027N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
BSC027N04LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC027N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 60В; 84А; Idm: 400А; 83Вт
BSC027N06LS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC028N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC028N06LS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
BSC028N06NSATMA1
0.0
Доступность: 3583 шт.
43182 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC030N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 98А; 69Вт; PG-TDSON-8
BSC030N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC030N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8
BSC030N03MSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC030N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
BSC030N04NSGATMA1
0.0
Нет в наличии
14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC030N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC030N08NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
BSC030P03NS3GAUMA1
0.0
Доступность: 3085 шт.
51136 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
BSC031N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
BSC031N06NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC032N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; 52Вт; PG-TDSON-8
BSC032N04LSATMA1
0.0
Доступность: 1279 шт.
20928 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC032NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 84А; 37Вт; PG-TDSON-8
BSC032NE2LSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
BSC034N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 57Вт; PG-TDSON-8
BSC034N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
25758 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC034N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8
BSC034N06NSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC035N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 92А; 69Вт; PG-TDSON-8
BSC035N04LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
21307 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
BSC035N10NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
55871 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
Показать еще 24 товара