Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSC0923NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
BSC0923NDIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC0924NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
BSC0924NDIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8
BSC0925NDATMA1
0.0
Нет в наличии
11837 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8
BSC093N04LSGATMA1
0.0
Доступность: 3886 шт.
15436 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8
BSC097N06NSATMA1
0.0
Нет в наличии
19508 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC098N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 69Вт; PG-TDSON-8
BSC098N10NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8
BSC100N03MSGATMA1
0.0
Нет в наличии
7955 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8
BSC100N06LS3GATMA1
0.0
Доступность: 4746 шт.
23958 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
BSC105N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 156Вт; PG-TDSON-8
BSC105N10LSFGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8
BSC109N10NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8
BSC110N06NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
13731 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSC110N15NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 48А; Idm: 304А; 125Вт
BSC110N15NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
BSC117N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 49А; 50Вт; PG-TDSON-8
BSC117N08NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSC118N10NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8
BSC118N10NSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8
BSC120N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
23106 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8
BSC120N03MSGATMA1
0.0
Нет в наличии
10227 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
BSC123N08NS3GATMA1
0.0
Доступность: 1458 шт.
26705 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSC123N10LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8
BSC123N10LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSC12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TDSON-8
BSC12DN20NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8
BSC150N03LDGATMA1
0.0
Нет в наличии
14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 42А; 60Вт; PG-TDSON-8
BSC160N10NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSC16DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,9А; 62,5Вт; PG-TDSON-8
BSC16DN25NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
BSC190N12NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 44А; 69Вт; PG-TDSON-8
BSC190N12NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8
BSC190N15NS3GATMA1
0.0
Доступность: 1872 шт.
41572 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
Показать еще 24 товара