Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSL214NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; TSOP6
BSL214NH6327XTSA1
0.0
Нет в наличии
5019 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
BSL215CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
BSL215CH6327XTSA1
0.0
Доступность: 2391 шт.
11458 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
BSL296SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,4А; 2Вт; TSOP6; ESD
BSL296SNH6327XTSA1
0.0
Нет в наличии
7008 ₽
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
BSL307SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
BSL307SPH6327XTSA1
0.0
Нет в наличии
14299 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
BSL308CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт
BSL308CH6327XTSA1
0.0
Доступность: 2927 шт.
12311 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30/-30В
BSL308PEH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
BSL308PEH6327XTSA1
0.0
Доступность: 2062 шт.
10701 ₽
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
BSL316CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
BSL316CH6327XTSA1
0.0
Доступность: 2032 шт.
10322 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30/-30В
BSL372SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; 2Вт; TSOP6
BSL372SNH6327XTSA1
0.0
Нет в наличии
7576 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSL606SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
BSL606SNH6327XTSA1
0.0
Доступность: 4645 шт.
15057 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSL802SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; 2Вт; TSOP6
BSL802SNH6327XTSA1
0.0
Нет в наличии
5114 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
BSM200GB60DLC, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
BSM200GB60DLC
0.0
Нет в наличии
21 24621 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-34MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяBSM200GB60DLC
BSO033N03MSGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 22А; 1,56Вт; PG-DSO-8
BSO033N03MSGXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSO080P03SHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8
BSO080P03SHXUMA1
0.0
Нет в наличии
31061 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
BSO110N03MSGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,1А; 1,56Вт; PG-DSO-8
BSO110N03MSGXUMA1
0.0
Нет в наличии
15625 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSO150N03MDGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,3А; 1,56Вт; PG-DSO-8
BSO150N03MDGXUMA1
0.0
Нет в наличии
24337 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSO201SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; 1,6Вт; PG-DSO-8
BSO201SPHXUMA1
0.0
Нет в наличии
26042 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
BSO203PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8
BSO203PHXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
BSO203SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7А; 1,6Вт; PG-DSO-8
BSO203SPHXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
BSO207PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8
BSO207PHXUMA1
0.0
Доступность: 2213 шт.
10701 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
BSO211PHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
BSO211PHXUMA1
0.0
Доступность: 2428 шт.
5966 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
BSO220N03MDGXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,7А; 1,56Вт; PG-DSO-8
BSO220N03MDGXUMA1
0.0
Нет в наличии
18561 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSO301SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8
BSO301SPHXUMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
BSO303SPHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; 1,56Вт; PG-DSO-8
BSO303SPHXUMA1
0.0
Нет в наличии
14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
BSO613SPVGXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8
BSO613SPVGXUMA1
0.0
Нет в наличии
23958 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
Показать еще 24 товара