Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8
BSZ068N06NSATMA1
0.0
Нет в наличии
25379 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSZ075N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
BSZ084N08NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
25473 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
BSZ086P03NS3EGATMA
0.0
Нет в наличии
26420 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
BSZ086P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8
BSZ086P03NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
BSZ088N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
BSZ088N03MSGATMA1
0.0
Нет в наличии
14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
BSZ0901NSATMA1
0.0
Нет в наличии
25663 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
BSZ0901NSIATMA1
0.0
Нет в наличии
27273 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8
BSZ0902NSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8
BSZ0902NSIATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8
BSZ0909NSATMA1
0.0
Нет в наличии
7102 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
BSZ096N10LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 160А; 69Вт
BSZ096N10LS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8FL МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
BSZ097N04LSGATMA1
0.0
Доступность: 4920 шт.
17235 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
BSZ097N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8
BSZ0994NS
0.0
Нет в наличии
14394 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
BSZ099N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 29А; 36Вт; PG-TSDSON-8
BSZ099N06LS5
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,9нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8
BSZ100N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
BSZ100N03MSGATMA1
0.0
Нет в наличии
14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8
BSZ100N06LS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSZ100N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 36Вт; PG-TSDSON-8
BSZ100N06NSATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8
BSZ105N04NSG
0.0
Нет в наличии
14394 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
BSZ110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 80А; 50Вт; PG-TSDSON-8
BSZ110N06NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
0.0
Нет в наличии
23580 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
Показать еще 24 товара