Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8
BSZ120P03NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
BSZ123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 66Вт; PG-TSDSON-8
BSZ123N08NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8
BSZ12DN20NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
25852 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8
BSZ130N03LSGATMA1
0.0
Нет в наличии
7576 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8
BSZ130N03MSGATMA1
0.0
Нет в наличии
8333 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
BSZ150N10LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
BSZ150N10LS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт
BSZ15DC02KDHXTMA1
0.0
Нет в наличии
22917 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
BSZ160N10NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
19886 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSZ16DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,9А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
BSZ16DN25NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
BSZ180P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
BSZ180P03NS3EGATMA
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
BSZ180P03NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
16761 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8
BSZ22DN20NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
16193 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
BSZ240N12NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 37А; 66Вт; PG-TSDSON-8
BSZ240N12NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
BSZ340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TSDSON-8
BSZ340N08NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8
BSZ42DN25NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
26231 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8
BSZ440N10NS3GATMA1
0.0
Доступность: 5899 шт.
28314 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8
BSZ520N15NS3GATMA1
0.0
Нет в наличии
31345 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8
BSZ900N15NS3GATMA1
0.0
Доступность: 3058 шт.
16761 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
BSZ900N20NS3GATMA1
0.0
Доступность: 975 шт.
29451 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
BTF3035EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 5А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
BTF3035EJXUMA1
0.0
Нет в наличии
34848 ₽
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс
BTF3050EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 4А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
BTF3050EJXUMA1
0.0
Нет в наличии
24905 ₽
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс
BTF3080EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 3А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
BTF3080EJXUMA1
0.0
Нет в наличии
20644 ₽
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс
BTF3125EJXUMA1, IC: power switch; low-side; 2А; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
BTF3125EJXUMA1
0.0
Нет в наличии
25189 ₽
Вид выходаN-Channel Вид микросхемыlow-side Вид упаковкибобина, лента Время включения1,35мкс Время выключения2мкс
BTF50060-1TEA, IC: power switch; high-side; 16,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5
BTF50060-1TEA
0.0
Нет в наличии
1 24716 ₽
Вид выходаP-Channel Вид микросхемыhigh-side Выходной ток16,5А Кол-во каналов1 КорпусTO252-5
Показать еще 24 товара