Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
IPB029N06N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
39205 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
IPB030N08N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
50947 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3
IPB031N08N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
77557 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
IPB031NE7N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
46970 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
IPB033N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 108А; 179Вт; PG-TO263-3
IPB033N10N5LF
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB034N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO263-3
IPB034N06L3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB035N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
IPB035N08N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB036N12N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
1 14962 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3
IPB037N06N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
28220 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB038N12N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
1 09943 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
IPB039N10N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
51326 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
IPB042N10N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
55871 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB044N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 123А; Idm: 696А; 300Вт
IPB044N15N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А; 300Вт
IPB048N15N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO 263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3
IPB048N15N5LF
0.0
Нет в наличии
1 55303 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3
IPB049N08N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
43561 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
IPB049NE7N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
33807 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3
IPB054N06N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
25284 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
IPB054N08N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
32576 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3
IPB055N03LGATMA1
0.0
Нет в наличии
16572 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3
IPB057N06NATMA1
0.0
Нет в наличии
31439 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB065N15N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3
IPB067N08N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
37784 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB072N15N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
91856 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
Показать еще 24 товара