ixys

IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт

0.0

КОД:

IXFN220N20X3

Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 166.01 ₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт

0.0

КОД:

IXFN230N20T

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 718.58 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт

0.0

КОД:

IXFN240N15T2

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора460нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 414.23 ₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт

0.0

КОД:

IXFN240N25X3

Вид каналаобогащенный Время готовности165нс Заряд затвора345нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 528.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А

0.0

КОД:

IXFN24N100

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 151.78 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А

0.0

КОД:

IXFN26N100P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора197нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 543.87 ₽

Доступность: 6 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А" 1.

IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт

0.0

КОД:

IXFN26N120P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 750.99 ₽

Доступность: 7 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC

0.0

КОД:

IXFN27N120SK

Вид каналаобогащенный Заряд затвора160нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами

10 222.92 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт

0.0

КОД:

IXFN300N10P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора279нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 528.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт

0.0

КОД:

IXFN300N20X3

Вид каналаобогащенный Время готовности172нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 727.27 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт

0.0

КОД:

IXFN30N120P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

12 602.37 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт

0.0

КОД:

IXFN320N17T2

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

9 195.26 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А

0.0

КОД:

IXFN32N100P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора225нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 815.81 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А

0.0

КОД:

IXFN32N100Q3

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора195нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

13 630.04 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт

0.0

КОД:

IXFN32N120P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

14 676.68 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт

0.0

КОД:

IXFN32N80P

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 318.58 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт

0.0

КОД:

IXFN340N07

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора0,49мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

10 222.92 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт

0.0

КОД:

IXFN360N10T

Вид каналаобогащенный Время готовности130нс Заряд затвора525нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 305.14 ₽

Доступность: 198 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А

0.0

КОД:

IXFN36N100

Вид каналаобогащенный Время готовности180нс Заряд затвора380нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

15 631.62 ₽

Доступность: 18 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А" 1.

IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А

0.0

КОД:

IXFN38N100P

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 895.65 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А" 1.