Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

IXYS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN400N15X3
Вид каналаобогащенный Время готовности132нс Заряд затвора365нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 089.33 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN40N110P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 094.86 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN40N110Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности434нс Заряд затвора300нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
3 698.02 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А
0.0
IXFN40N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 500.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А" 1.

IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC
0.0
IXFN420N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 867.98 ₽
Доступность: 274 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
0.0
IXFN44N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 021.34 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
0.0
IXFN44N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 753.36 ₽
Доступность: 7 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт
0.0
IXFN44N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 219.76 ₽
Доступность: 7 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт
0.0
IXFN44N80Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 061.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN48N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 415.81 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC
0.0
IXFN50N120SIC
Вид каналаобогащенный Время готовности26нс Заряд затвора0,1мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 770.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN50N120SK
Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
16 011.07 ₽
Доступность: 8 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXFN520N075T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 206.32 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А
0.0
IXFN52N100X
Вид каналаобогащенный Время готовности260нс Заряд затвора245нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 942.29 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А" 1.

IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN52N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора308нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 888.54 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт
0.0
IXFN56N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 945.45 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN60N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 834.78 ₽
Доступность: 195 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN62N80Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 449.80 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN64N50P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 490.12 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXFN64N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 611.07 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
    Показать все (19)
Срок поставки