Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

IXYS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
IXTK210P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -210А; 1040Вт
0.0
IXTK210P10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора740нC КорпусTO264
4 211.86 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK210P10T, Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -210А; 1040Вт" 1.

IXTK22N100L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 22А; 700Вт; TO264; 1мкс
0.0
IXTK22N100L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC КорпусTO264
6 706.72 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK22N100L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 22А; 700Вт; TO264; 1мкс" 1.

IXTK240N075L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 240А; 960Вт; TO264; 206нс
0.0
IXTK240N075L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности206нс Заряд затвора546нC КорпусTO264
4 183.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK240N075L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 240А; 960Вт; TO264; 206нс" 1.

IXTK32P60P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -600В; -32А; 890Вт; TO264
0.0
IXTK32P60P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности480нс Заряд затвора196нC КорпусTO264
2 997.63 ₽
Доступность: 273 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK32P60P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -600В; -32А; 890Вт; TO264" 1.

IXTK3N250L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2,5кВ; 3А; 417Вт; TO264; 370нс
0.0
IXTK3N250L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности370нс Заряд затвора230нC КорпусTO264
17 038.74 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK3N250L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2,5кВ; 3А; 417Вт; TO264; 370нс" 1.

IXTK40P50P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -500В; -40А; 890Вт; TO264
0.0
IXTK40P50P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности477нс Заряд затвора205нC КорпусTO264
3 328.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK40P50P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -500В; -40А; 890Вт; TO264" 1.

IXTK46N50L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 46А; 700Вт; TO264; 600нс
0.0
IXTK46N50L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC КорпусTO264
9 087.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK46N50L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 46А; 700Вт; TO264; 600нс" 1.

IXTK550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 1250Вт; TO264; 100нс
0.0
IXTK550N055T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусTO264
4 363.64 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 1250Вт; TO264; 100нс" 1.

IXTK600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 600А; 1250Вт; TO264; 100нс
0.0
IXTK600N04T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора590нC КорпусTO264
4 363.64 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 600А; 1250Вт; TO264; 100нс" 1.

IXTK60N50L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 60А; 960Вт; TO264; 980нс
0.0
IXTK60N50L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности980нс Заряд затвора610нC КорпусTO264
7 013.44 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK60N50L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 60А; 960Вт; TO264; 980нс" 1.

IXTK82N25P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 250В; 82А; 500Вт; TO264
0.0
IXTK82N25P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора142нC КорпусTO264
1 628.46 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK82N25P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 250В; 82А; 500Вт; TO264" 1.

IXTK8N150L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 8А; 700Вт; TO264; 1,7мкс
0.0
IXTK8N150L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC КорпусTO264
6 494.86 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK8N150L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 8А; 700Вт; TO264; 1,7мкс" 1.

IXTK90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; TO264; 266нс
0.0
IXTK90N25L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности266нс Заряд затвора640нC КорпусTO264
4 705.14 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; TO264; 266нс" 1.

IXTK90P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -90А; 890Вт; TO264
0.0
IXTK90P20P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности315нс Заряд затвора205нC КорпусTO264
3 397.63 ₽
Доступность: 31 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK90P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -90А; 890Вт; TO264" 1.

IXTL2N450, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,5кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™
0.0
IXTL2N450
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
30 110.67 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTL2N450, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,5кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

IXTL2N470, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,7кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™
0.0
IXTL2N470
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
20 482.21 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTL2N470, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,7кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт
0.0
IXTN102N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 863.24 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN110N20L2
Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 392.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами
0.0
IXTN120P20T
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 330.43 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт
0.0
IXTN17N120L
Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 494.86 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
    Показать все (19)
Срок поставки