Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

NXP

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BAP64-06,215, Диод: импульсный; 175В; 100мА; 250мВт; SOT23; двойной,общий анод
BAP64-06.215
0.0
Доступность: 1645 шт.
5208 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадвойной, общий анод КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяBAP64-06,215
BAP65-02,115, Диод: импульсный; 30В; 100мА; 715мВт; SOD523; одиночный диод
BAP65-02.115
0.0
Доступность: 510 шт.
8144 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD523 МонтажSMD Обозначение производителяBAP65-02,115
BAP65-03,115, Диод: импульсный; 30В; 100мА; 500мВт; SOD323; одиночный диод
BAP65-03.115
0.0
Доступность: 1950 шт.
5303 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323 МонтажSMD Обозначение производителяBAP65-03,115
BAP70-02,115, Диод: импульсный; 50В; 100мА; 415мВт; SOD523; одиночный диод
BAP70-02.115
0.0
Доступность: 3910 шт.
10133 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD523 МонтажSMD Обозначение производителяBAP70-02,115
BB135.115, Диод: варикап; 30В; 20мА; SOD323; одиночный диод; бобина,лента
BB135.115
0.0
Нет в наличии
9091 ₽
Вид упаковкибобина, лента Емкость1,7...21пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323 МонтажSMD
BB173X, Диод: варикап; 32В; 20мА; SOD523; одиночный диод; бобина,лента
BB173X
0.0
Доступность: 937 шт.
11269 ₽
Вид упаковкибобина, лента Емкость2,36...42,35пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD523 МонтажSMD
BB208-02,115, Диод: варикап; 10В; 20мА; SOD523; одиночный диод; бобина,лента
BB208-02.115
0.0
Нет в наличии
12121 ₽
Вид упаковкибобина, лента Емкость4,5...23,2пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD523 МонтажSMD
BBY40,215, Диод: варикап; 30В; 20мА; SOT23; одиночный диод; бобина,лента
BBY40
0.0
Доступность: 357 шт.
10038 ₽
Вид упаковкибобина, лента Емкость4,3...32пФ Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOT23 МонтажSMD
BFT25,215, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 5В; 6,5мА; 30мВт; SOT23
BFT25.215
0.0
Доступность: 189 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току40 МонтажSMD
BFU520AR, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 30мА; 450мВт; SOT23
BFU520AR
0.0
Доступность: 5376 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току60...200 МонтажSMD
BFU520XAR, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 30мА; 450мВт; SOT143B
BFU520XAR
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT143B Коэффициент усиления по току60...200 МонтажSMD
BFU530WX, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 24В; 40мА; 450мВт; SOT323
BFU530WX
0.0
Доступность: 2933 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току60...200 МонтажSMD
BFU550AR, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 50мА; 450мВт; SOT23
BFU550AR
0.0
Доступность: 9219 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току60...200 МонтажSMD
BFU580GX, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 60мА; 1Вт; SOT223
BFU580GX
0.0
Доступность: 898 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току60...130 МонтажSMD
BFU590GX, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 0,2А; 2Вт; SOT223
BFU590GX
0.0
Доступность: 998 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току60...130 МонтажSMD
BFU630F,115, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 5,5В; 30мА; 200мВт; SOT343F
BFU630F.115
0.0
Доступность: 2835 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT343F Коэффициент усиления по току90...180 МонтажSMD
BFU725F/N1,115, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 2,8В; 40мА; 136мВт; SOT343F
BFU725F/N1.115
0.0
Доступность: 2722 шт.
000 ₽
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT343F Коэффициент усиления по току160...400 МонтажSMD
CLEV6630BM, Ср-во разработки: ARM NXP; базовая плата; Сост.элем: CLRC663
CLEV6630BM
0.0
Нет в наличии
36 74242 ₽
КомпонентыCLRC663 Обозначение производителяCLEV6630BM ПроизводительNXP Состав наборабазовая плата Тип средств разработкиARM NXP
CLRC66303HNE, IC: RF front end; трансивер; 5ВDC; I2C,SPI,UART; SMD; VQFN32
CLRC66303HNE
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид микросхемытрансивер КорпусVQFN32 МонтажSMD Обозначение производителяCLRC66303HNE ПроизводительNXP
CWH-UTP-ONCE-HE, Ср-во разработки: Freescale
CWH-UTP-ONCE-HE
0.0
Нет в наличии
40 02367 ₽
ИнтерфейсUSB Обозначение производителяCWH-UTP-ONCE-HE ПроизводительNXP Тип средств разработкиFreescale Характерные особенности средств разработки и программатороввстроенный программатор / отладчик
FRDM-K32L2B3, Ср-во разработки: ARM NXP; Архитектура: Cortex M0+
FRDM-K32L2B3
0.0
Нет в наличии
8 02178 ₽
Вид архитектурыCortex M0+ Обозначение производителяFRDM-K32L2B3 ПроизводительNXP Тип средств разработкиARM NXP
FRDM-KV11Z, Ср-во разработки: ARM NXP; Сост.элем: FXOS8700CQ,MKV11Z128VLF7
FRDM-KV11Z
0.0
Доступность: 1 шт.
6 31155 ₽
Вид архитектурыCortex M0+ КомпонентыFXOS8700CQ, MKV11Z128VLF7 Обозначение производителяFRDM-KV11Z ПроизводительNXP Тип средств разработкиARM NXP
HTRC11001T/03EE,11, IC: считыватель чипов HITAG; SMD; SO14; 4,5÷5,5В
HTRC11001T/03EE
0.0
Нет в наличии
000 ₽
КорпусSO14 МонтажSMD Обозначение производителяHTRC11001T/03EE,11 ПроизводительNXP Рабочее напряжение4,5...5,5В
IMXRT1050-EVKB, Ср-во разработки: ARM NXP; аудиокодек,емкостный микрофон
IMXRT1050-EVKB
0.0
Нет в наличии
27 85890 ₽
Вид архитектурыCortex A7 Обозначение производителяIMXRT1050-EVKB Память32МБ RAM 64МБ FLASH ПроизводительNXP ПроцессорI.MXRT1052
Показать еще 24 товара