Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

NXP

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
8MMINID4-EVK, Ср-во разработки: ARM NXP; Архитектура: Cortex M4; uP: i.MX8 M
8MMINID4-EVK
0.0
Нет в наличии
83 11080 ₽
Вид архитектурыCortex M4 Обозначение производителя8MMINID4-EVK ПроизводительNXP Процессорi.MX8 M Тип средств разработкиARM NXP
8MMINILPD4-EVK, Ср-во разработки: ARM NXP; Архитектура: Cortex A53/M4
8MMINILPD4-EVK
0.0
Нет в наличии
93 26705 ₽
Вид архитектурыCortex A53/M4 Обозначение производителя8MMINILPD4-EVK ПроизводительNXP Процессорi.MX8 M Тип средств разработкиARM NXP
8MNANOD4-EVK, Ср-во разработки: ARM NXP; Архитектура: Cortex A53; uP: i.MX8 M
8MNANOD4-EVK
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид архитектурыCortex A53 Обозначение производителя8MNANOD4-EVK ПроизводительNXP Процессорi.MX8 M Тип средств разработкиARM NXP
AFT05MP075GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 690Вт; TO270WBG-4; Pвых: 70Вт
AFT05MP075GNR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность70Вт КорпусTO270WBG-4
AFT05MP075NR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 690Вт; TO270WB-4; Pвых: 70Вт; SMT
AFT05MP075NR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность70Вт КорпусTO270WB-4
AFT05MS004NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 28Вт; SOT89; Pвых: 4,9Вт; SMT
AFT05MS004NT1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность4,9Вт КорпусSOT89
AFT05MS006NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 125Вт; PLD-1.5W; Pвых: 6Вт; SMT
AFT05MS006NT1
0.0
Нет в наличии
96212 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность6Вт КорпусPLD-1.5W
AFT05MS031GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 294Вт; TO270G-2; Pвых: 33Вт; SMT
AFT05MS031GNR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность33Вт КорпусTO270G-2
AFT09MP055GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 625Вт; TO270WBG-4; Pвых: 57Вт
AFT09MP055GNR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность57Вт КорпусTO270WBG-4
AFT09MP055NR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 625Вт; TO270WB-4; Pвых: 57Вт; SMT
AFT09MP055NR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность57Вт КорпусTO270WB-4
AFT09MS031GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 317Вт; TO270G-2; Pвых: 31Вт; SMT
AFT09MS031GNR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность31Вт КорпусTO270G-2
AFT09MS031NR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 317Вт; TO270-2; Pвых: 31Вт; SMT
AFT09MS031NR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность31Вт КорпусTO270-2
AFT20S015GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; TO270G-2; 16,2Вт; SMT; 17,6дБ
AFT20S015GNR1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность16,2Вт КорпусTO270G-2
AFT27S006NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; PLD-1.5W; 6Вт; SMT; 22,8дБ; 19,8%
AFT27S006NT1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность6Вт КорпусPLD-1.5W
AFT27S010NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; PLD-1.5W; 10Вт; SMT; 21,8дБ; 23%
AFT27S010NT1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность10Вт КорпусPLD-1.5W
AFT27S012NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; PLD-1.5W; 13Вт; SMT; 20,9дБ
AFT27S012NT1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность13Вт КорпусPLD-1.5W
AFT31150NR5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 741Вт; OM780-2; Pвых: 150Вт; SMT
AFT31150NR5
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность150Вт КорпусOM780-2
BAP50-02,115, Диод: импульсный; 50В; 50мА; 715мВт; SOD523; одиночный диод
BAP50-02.115
0.0
Доступность: 170 шт.
5114 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD523 МонтажSMD Обозначение производителяBAP50-02,115
BAP50-04,215, Диод: импульсный; 50В; 50мА; 250мВт; SOT23; Ufmax: 0,95В
BAP50-04.215
0.0
Доступность: 2320 шт.
2936 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяBAP50-04,215
BAP51-02,115, Диод: импульсный; 60В; 50мА; 715мВт; SOD523; одиночный диод
BAP51-02.115
0.0
Доступность: 7545 шт.
7386 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD523 МонтажSMD Обозначение производителяBAP51-02,115
BAP51-03,115, Диод: импульсный; 50В; 50мА; 500мВт; SOD323; одиночный диод
BAP51-03.115
0.0
Доступность: 3425 шт.
6439 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323 МонтажSMD Обозначение производителяBAP51-03,115
BAP64-02,115, Диод: импульсный; 175В; 100мА; 715мВт; SOD523; одиночный диод
BAP64-02.115
0.0
Нет в наличии
8712 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD523 МонтажSMD Обозначение производителяBAP64-02,115
BAP64-03,115, Диод: импульсный; 175В; 100мА; 500мВт; SOD323; одиночный диод
BAP64-03.115
0.0
Доступность: 2169 шт.
8333 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323 МонтажSMD Обозначение производителяBAP64-03,115
BAP64-05,215, Диод: импульсный; 175В; 100мА; 250мВт; SOT23; двойной,общий катод
BAP64-05.215
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяBAP64-05,215
Показать еще 24 товара