Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

ONSEMI

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
BLE-IOT-GEVB, Ср-во разработки: вычислительное; макетная плата
0.0
BLE-IOT-GEVB
КомпонентыATSAM3U2CA, RSL10 Обозначение производителяBLE-IOT-GEVB ПроизводительONSEMI Состав наборамакетная плата Тип средств разработкивычислительное
10 814.23 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BLE-IOT-GEVB, Ср-во разработки: вычислительное; макетная плата" 1.

BLE-SWITCH001-GEVB, Дочерняя плата; макетная плата; Сост.элем: RSL10
0.0
BLE-SWITCH001-GEVB
КомпонентыRSL10 Обозначение производителяBLE-SWITCH001-GEVB ПроизводительONSEMI Состав наборамакетная плата Тип аксессуара для средств разработкидочерняя плата
2 973.91 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BLE-SWITCH001-GEVB, Дочерняя плата; макетная плата; Сост.элем: RSL10" 1.

BS170-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
0.0
BS170D26Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
64.03 ₽
Доступность: 2283 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BS170-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

BS170-D27Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
0.0
BS170D27Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
67.98 ₽
Доступность: 5000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BS170-D27Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

BS170-D75Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
0.0
BS170-D75Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
49.80 ₽
Доступность: 29 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BS170-D75Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

BS170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
0.0
BS170
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
44.27 ₽
Доступность: 10150 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BS170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

BS270-D74Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 400мА; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92
0.0
BS270-D74Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
64.03 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BS270-D74Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 400мА; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92" 1.

BS270, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92
0.0
BS270
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
58.50 ₽
Доступность: 4594 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BS270, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92" 1.

BSP16T1G, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,1А; 1,5Вт; SOT223-4,TO261-4
0.0
BSP16T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223-4, TO261-4 Коэффициент усиления по току30...120 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер300В
66.40 ₽
Доступность: 1243 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSP16T1G, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,1А; 1,5Вт; SOT223-4,TO261-4" 1.

BSR14, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23
0.0
BSR14-FAI
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В Обозначение производителяBSR14
67.19 ₽
Доступность: 1950 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSR14, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23" 1.

BSR16, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23
0.0
BSR16-FAI
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В Обозначение производителяBSR16
71.94 ₽
Доступность: 2076 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSR16, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 0,8А; 0,35Вт; SOT23" 1.

BSR57, Транзистор: N-JFET; полевой; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
0.0
BSR57
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяBSR57
30.83 ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSR57, Транзистор: N-JFET; полевой; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА" 5.

BSR58, Транзистор: N-JFET; полевой; 8мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
0.0
BSR58
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяBSR58
67.19 ₽
Доступность: 904 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSR58, Транзистор: N-JFET; полевой; 8мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

BSS123, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,36Вт; SOT23
0.0
BSS123-FAI
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
44.27 ₽
Доступность: 15685 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSS123, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,36Вт; SOT23" 1.

BSS123L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,36Вт; SOT23
0.0
BSS123L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
30.83 ₽
Доступность: 14495 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSS123L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,36Вт; SOT23" 1.

BSS123LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
0.0
BSS123LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.48 ₽
Доступность: 11869 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSS123LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23" 1.

BSS123W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 0,68А; 0,2Вт
0.0
BSS123W
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
26.88 ₽
Доступность: 1060 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSS123W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 0,68А; 0,2Вт" 5.

BSS138L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
0.0
BSS138L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
26.88 ₽
Доступность: 11369 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSS138L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23" 1.

BSS138LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
0.0
BSS138LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
33.99 ₽
Доступность: 11105 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSS138LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23" 1.

BSS138LT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
0.0
BSS138LT3G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.36 ₽
Доступность: 11672 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSS138LT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Срок поставки