ROHM SEMICONDUCTOR

0.0
EMH3T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
32.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMH3T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH4FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
75.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMH4FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH4T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
32.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMH4T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH59T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
11.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMH59T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 8000.

0.0
EMH60T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
45.06 
Доступность: 7780 шт.
+

Минимальное количество для товара "EMH60T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH75T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
34.78 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMH75T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH9FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
52.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMH9FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH9T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
39.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMH9T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMN11T2R
Вид упаковкибобина, лента Время готовности4нс Импульсный ток Конструкция диодадвойной x2, общий катод МонтажSMD
35.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMN11T2R, Диод: импульсный; SMD; 80В; 0,1А; 4нс; SOT563; Ufmax: 1,2В; Ifsm: 4А" 1.

0.0
EMP11T2R
Вид упаковкибобина, лента Время готовности4нс Импульсный ток Конструкция диодадвойной x2, общий анод МонтажSMD
37.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMP11T2R, Диод: импульсный; SMD; 80В; 0,1А; 4нс; SOT563; Ufmax: 1,2В; Ifsm: 4А" 1.

0.0
EMT18T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
96.44 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMT18T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; 12В; 0,5А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMT1T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
37.94 
Доступность: 3490 шт.
+

Минимальное количество для товара "EMT1T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX18T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX18T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 12В; 0,5А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX1FHAT2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX1FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX1GT2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В Обозначение производителяEMX1GT2R
25.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX1GT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 5.

0.0
EMX1T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
41.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX1T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX26T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
82.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX26T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMX52T2R
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
55.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "EMX52T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMZ6.8NTL
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадвойной, общий анод КорпусSC75A, SOT416 МонтажSMD Напряжение стабилизации6,8В
67.19 
Доступность: 2990 шт.
+

Минимальное количество для товара "EMZ6.8NTL, Диод: стабилитрон; 150мВт; 6,8В; SMD; бобина,лента; SC75A,SOT416" 1.

0.0
FMA1AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA1AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки