SEMIKRON DANFOSS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB126D 22890638
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12E4 22892092
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12T4 22892098
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GM12E4 22892094
ВерсияD61 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB12F4 22896010
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB12T422892010
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB17E4 22895030
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA125D 03071 21915710
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA126D 22890405
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA176D 22890435
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM900GA12E4 22892130
ВерсияA51 Импульсный ток1,8кА Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусSEMIPACK2 Механический монтажвинтами
ВерсияA72 Импульсный ток2кА Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусSEMIPACK1 Механический монтажвинтами
ВерсияA72 Импульсный ток2кА Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусSEMIPACK1 Механический монтажвинтами
ВерсияA72 Импульсный ток2кА Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусSEMIPACK1 Механический монтажвинтами
ВерсияA72 Импульсный ток2кА Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусSEMIPACK1 Механический монтажвинтами
Импульсный ток1,5кА Конструкция диодаанод на корпусе КорпусDO205AC, E13 Монтажвинтами Монтажная резьбаM12
Импульсный ток1,5кА Конструкция диодаанод на корпусе КорпусDO205AC, E13 Монтажвинтами Монтажная резьба1/2"-20UNF-2A
Импульсный ток1,5кА Конструкция диодаанод на корпусе КорпусDO205AC, E13 Монтажвинтами Монтажная резьбаM12
Импульсный ток1,5кА Конструкция диодаанод на корпусе КорпусDO205AC, E13 Монтажвинтами Монтажная резьба1/2"-20UNF-2A
Импульсный ток1,5кА Конструкция диодаанод на корпусе КорпусDO205AC, E13 Монтажвинтами Монтажная резьбаM12
Показать еще 24 товара