0.0
WMM36N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
494.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM36N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

0.0
WMM36N65F2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
581.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM36N65F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

0.0
WMM38N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
341.50 
Доступность: 377 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMM38N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 38А; 277Вт; TO263" 1.

0.0
WMM38N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
507.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM38N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 38А; 277Вт; TO263" 1.

0.0
WMM38N65FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
610.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM38N65FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 650В; 38А; 277Вт; TO263" 1.

0.0
WMM4N90D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTO263 МонтажSMD
113.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM4N90D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 65Вт" 1.

0.0
WMM4N90D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTO263 МонтажSMD
113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM4N90D1B, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 63Вт" 1.

0.0
WMM50P04T1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM50P04T1
128.85 
Доступность: 56 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMM50P04T1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM53N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
735.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM53N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

0.0
WMM53N60F2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
841.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

0.0
WMM53N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
706.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM53N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

0.0
WMM6N90D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86,2нC КорпусTO263 МонтажSMD
123.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM6N90D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт" 1.

0.0
WMM6N90D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
113.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM6N90D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 6А; TO263" 1.

0.0
WMM80N08TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM80N08TS
147.04 
Доступность: 72 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMM80N08TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM80P04TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM80P04TS
142.29 
Доступность: 66 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMM80P04TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM80R160S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
727.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM80R160S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт" 1.

0.0
WMM80R260S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусTO263 МонтажSMD
558.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM80R260S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 13А; Idm: 78А; 227Вт" 1.

0.0
WMM80R350S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусTO263 МонтажSMD
471.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM80R350S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт" 1.

0.0
WMM80R720S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO263 МонтажSMD
230.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM80R720S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 4,2А; Idm: 24А; 73Вт" 1.

0.0
WMM90N08TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM90N08TS
141.50 
Доступность: 86 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMM90N08TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM90R360S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO263 МонтажSMD
554.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM90R360S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт" 1.

0.0
WMM90R830S-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
267.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMM90R830S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7А; 73Вт; TO263" 1.

0.0
WMM95P06TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM95P06TS
146.25 
Доступность: 62 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMM95P06TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMMB015N08HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB015N08HGS
400.00 
Доступность: 33 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMMB015N08HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

0.0
WMMB020N10HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB020N10HG4
352.57 
Доступность: 285 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMMB020N10HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

0.0
WMN03N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN03N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 2,5А; 29Вт; TO262" 1.

0.0
WMN05N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
63.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO262" 1.

0.0
WMN06N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
66.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO262" 1.

0.0
WMN07N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
72.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO262" 1.

0.0
WMN07N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
75.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO262" 1.

0.0
WMN07N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN07N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 4А; 42Вт; TO262" 1.

0.0
WMN07N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
75.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN07N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 6,8А; 55Вт; TO262" 1.

0.0
WMN08N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
90.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO262" 1.

0.0
WMN09N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
75.89 
Доступность: 27 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMN09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO262" 1.

0.0
WMN09N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
75.89 
Доступность: 20 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMN09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO262" 1.

0.0
WMN10N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
126.48 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMN10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO262" 1.

0.0
WMN10N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
75.89 
Доступность: 17 шт.
+

Минимальное количество для товара "WMN10N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 8А; 57Вт; TO262" 1.

0.0
WMN10N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
109.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN10N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 7,5А; 57Вт; TO262" 1.

0.0
WMN10N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO262" 1.

0.0
WMN11N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
117.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "WMN11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO262" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки