ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

0.0
AOB66613L
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOB66613L Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB66613L, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 800.

0.0
AOB66616L
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42,5нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.94 
Доступность: 753 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOB66616L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 95А; 50Вт; TO263" 1.

0.0
AOB66620L
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOB66620L Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB66620L, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 800.

0.0
AOB66916L
Вид каналаобогащенный Заряд затвора78нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
180.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB66916L, Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 35,5А; 8,3Вт; D2PAK" 800.

0.0
AOB66920L
Вид каналаобогащенный Заряд затвора50нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
95.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB66920L, Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 22,5А; 8,3Вт; D2PAK" 800.

0.0
AOBS30B65LN
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±30В
211.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOBS30B65LN, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 114Вт; TO263" 800.

0.0
AOC2421
Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусDFN4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
37.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2421, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -2,5А; 600мВт; DFN4" 5000.

0.0
AOC2804
Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC КорпусDFN4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2804, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 4А; 700мВт; DFN4" 3000.

0.0
AOC2804B
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN4
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2804B, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,3Вт; DFN4; общий сток; ESD" 3.

0.0
AOC2806
Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,5нC КорпусDFN4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
55.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2806, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 4,5А; 700мВт; DFN4" 3.

0.0
AOC2874
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOC2874 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
98.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC2874, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
AOC3860A
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
145.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3860A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 1.

0.0
AOC3862
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3862, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 5000.

0.0
AOC3868
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора35нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
59.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3868, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 5000.

0.0
AOC3870A
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора32нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN10
72.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3870A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,3Вт; DFN10; общий сток" 8000.

0.0
AOC3878
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора60нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN10
75.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOC3878, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 3,1Вт; DFN10; общий сток" 5000.

0.0
AOCA24106E
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOCA24106E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,7Вт; DFN6; общий сток; ESD" 8000.

0.0
AOCA24108E
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
54.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOCA24108E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,2Вт; DFN6; общий сток; ESD" 8000.

0.0
AOD1N60
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,1нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
70.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOD1N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,8А; 45Вт; TO252" 3.

0.0
AOD21357
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOD21357 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
40.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOD21357, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 2500.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки