Драйверы MOSFET/IGBT - 1125

0.0
MIC4605-1YM
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса20нс Время падения импульса20нс
22887 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIC4605-1YM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; 1А; Ch: 2; 5,5÷16В" 1.

0.0
MIC4606-1YTS-T5
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса20нс Время падения импульса20нс Выходной ток
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIC4606-1YTS-T5, IC: driver; контроллер затвора; TSSOP16; 1А; Ch: 2; 5,5÷16В" 1.

0.0
MIC5013YM
Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Кол-во каналов1 КорпусSO8 МонтажSMD
1 25000 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "MIC5013YM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; Ch: 1; 7÷32В" 1.

0.0
MIC5014YM
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Кол-во каналов1 КорпусSO8
45511 
Доступность: 193 шт.
+

Минимальное количество для товара "MIC5014YM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; Ch: 1; 2,75÷30В" 1.

0.0
MIC5020YM
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса175нс Время падения импульса175нс
52289 
Доступность: 248 шт.
+

Минимальное количество для товара "MIC5020YM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; Ch: 1; 11÷50В; 150кГц" 1.

0.0
MIC5021YM
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса500нс Время падения импульса500нс
50440 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIC5021YM, IC: driver; контроллер затвора; SO8; Ch: 1; 12÷36В; 150кГц" 1.

0.0
MIC5021YN
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкитуба Время нарастания импульса500нс Время падения импульса500нс
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIC5021YN, IC: driver; контроллер затвора; DIP8; Ch: 1; 12÷36В; 150кГц" 1.

0.0
MIC5060YML-TR
Вид выходанеинвертирующий Вид микросхемыконтроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусMLF8
51585 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIC5060YML-TR, IC: driver; контроллер затвора; MLF8; Ch: 1; 2,75÷30В" 1.

0.0
NCP1392BDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
16285 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP1392BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

0.0
NCP1392DDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
19982 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP1392DDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

0.0
NCP1393BDR2G
Время нарастания импульса40нс Время падения импульса20нс Выходной ток-1А...500мА Класс напряжения600В КорпусSO8
17254 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP1393BDR2G, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1А÷500мА; 8÷17,5ВDC; 600В" 1.

0.0
NCP302035MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток35А КорпусPQFN31 5X5
31074 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP302035MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 35А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

0.0
NCP302045MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток45А КорпусPQFN31 5X5
32923 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP302045MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 45А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

0.0
NCP302150MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса12нс Время падения импульса6нс Выходной ток50А КорпусPQFN31 5X5
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP302150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN31 5X5; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

0.0
NCP303150MNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток50А КорпусPQFN39 МонтажSMD Обозначение производителяNCP303150MNTWG
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP303150MNTWG, IC: driver; полумост MOSFET; PQFN39; 50А; 4,5÷5,5ВDC" 1.

0.0
NCP3420DR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора КорпусSO8 МонтажSMD Обозначение производителяNCP3420DR2G ПроизводительONSEMI
10123 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP3420DR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8" 1.

0.0
NCP5104DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
16285 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

0.0
NCP5106ADR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

0.0
NCP5106BDR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

0.0
NCP5109ADR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
16549 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

0.0
NCP5109BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
16549 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

0.0
NCP5111DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
20335 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

0.0
NCP51530BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
46215 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А" 1.

0.0
NCP51530BMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
26849 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В" 1.

Показать еще 24 товара
Категории