Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

Написать отзыв
NCP5111DR2G
21875 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
198.86 ₽
175.19 ₽
157.20 ₽
144.89 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
NCP5111DR2G ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
160нс
Время падения импульса
75нс
Выходной ток
-500...250мА
Защита
от снижения напряжения UVP
Класс напряжения
600В
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
NCP5111DR2G
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены