Товары из категории модули igbt, стр.12

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SKIIP38NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
69 116.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А" 1.

0.0
SKIIP38NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38NAB12T7V1 25231930
80 452.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB12T7V1 25231930, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39AC065V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность15кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 752.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC065V2 25231490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

0.0
SKIIP39AC066V4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AC066V4 25231360
63 264.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC066V4 25231360, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SKIIP39AC126V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
91 606.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC126V2 25230550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

0.0
SKIIP39AC126V20
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
87 033.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC126V20 25230940, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT,термистор NTC" 1.

0.0
SKIIP39AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 952.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T4V1 25231450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 48.

0.0
SKIIP39AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AC12T7V1 25231070
89 228.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T7V1 25231070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SKIIP39AHB16V1
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V1 25230190
45 528.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V1 25230190, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39AHB16V3
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V3 25231180
47 356.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V3 25231180, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKIIP39ANB16V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39ANB16V1 25230180
50 283.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39ANB16V1 25230180, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GA12T4V1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GA12T4V1 25232770
49 369.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GA12T4V1 25232770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

0.0
SKIIP39GB12E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12E4V1 M20
76 430.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12E4V1 M20, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GB12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12T7V1 25241222
74 784.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12T7V1 25241222, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GB12VV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12VV1 25241220
88 863.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12VV1 25241220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39MLI07E3V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI07E3V1 25238000
70 578.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI07E3V1 25238000, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39MLI12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI12T4V1 25230510
74 784.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI12T4V1 25230510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39TMLI12T4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39TMLI12T4V2 25232780
74 235.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39TMLI12T4V2 25232780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKIM120GD176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM120GD176D 23916470
114 461.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM120GD176D 23916470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

0.0
SKIM200GD126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM200GD126D 23916200
93 068.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM200GD126D 23916200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 180А" 1.

0.0
SKIM201MLI12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM201MLI12E4 23918890
72 954.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM201MLI12E4 23918890, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM220GD176DH4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM220GD176DH4 23916480
180 286.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM220GD176DH4 23916480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 250А" 1.

0.0
SKIM270GD176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM270GD176D 23916120
191 988.93 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM270GD176D 23916120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3,термистор" 1.

0.0
SKIM300GD126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126D 23916190
167 120.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126D 23916190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM300GD126DL
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126DL 23916490
144 082.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126DL 23916490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM301MLI07E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI07E4 23918920
79 720.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI07E4 23918920, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM301MLI12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI12E4 23918880
91 971.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI12E4 23918880, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM301TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301TMLI12E4B 23918960
81 732.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM301TMLI12E4B 23918960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKIM304GD12T4D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM304GD12T4D 23916500
123 421.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM304GD12T4D 23916500, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM400GD126DLM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DLM 23916550
190 159.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DLM 23916550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM400GD126DM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DM 23916530
206 616.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DM 23916530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM401MLI07E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401MLI07E4 23918910
95 079.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM401MLI07E4 23918910, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM401TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401TMLI12E4B 23918950
97 639.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM401TMLI12E4B 23918950, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKM100GAL12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12F4 22896040
13 000.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12F4 22896040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12T422892600
12 407.91 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12T422892600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL17E4 22895100
11 611.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAL17E4 22895100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM100GAR12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR12F4 22896030
13 000.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAR12F4 22896030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SKM100GAR17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR17E4 22895130
15 011.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAR17E4 22895130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SKM100GB125DN
ВерсияD93 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2N Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 369.96 
Доступность: 51 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB125DN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12F4 22896020
16 931.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12F4 22896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T422892020
14 725.69 
Доступность: 96 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T422892020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12T4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T4G 22892030
23 222.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T4G 22892030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12V 22892023
18 284.58 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12V 22892023, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB176D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 684.58 
Доступность: 52 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB176D 22890855, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM100GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB17E4 22895040
20 295.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB17E4 22895040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM145GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM145GAL176D 22890510
20 295.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM145GB066D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 237.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM145GB176D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 501.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12F4G 22896150
29 987.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12T4 22892300
16 839.53 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12V 22892301
17 424.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12V 22892301, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAR12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12F4G 22896160
29 987.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12T4 22892400
13 128.85 
Доступность: 23 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GAR12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12V 22892403
17 424.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12V 22892403, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4 22896062
21 758.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4 22896062, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12F4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4G 22896060
36 569.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4G 22896060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12T4 22892040
22 124.90 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12T4G
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 192.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12V 22892043
31 084.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12VG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12VG 22892052
34 374.70 
Доступность: 11 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4 22895050
20 479.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GB17E4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4G 22895052
42 420.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GM12T4G
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GM12T4G 22892460
34 923.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM195GAL07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL07E3 22895620
15 596.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM195GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL126D 22890470
21 758.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM195GAR07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAR07E3 22895630
15 596.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM195GB066D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 993.68 
Доступность: 61 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM195GB07E3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB07E3 22895610
21 209.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
SKM195GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB126D 22890630
24 317.79 
Доступность: 26 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
41 871.94 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL125D 22890740, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

0.0
SKM200GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL126D 22890472
33 277.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL126D 22890472, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12E4 22892304
35 106.72 
Доступность: 11 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12E4 22892304, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12T4 22892320
31 449.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12VL2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12VL2 22895560
18 284.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL176D 22890514
37 666.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL17E4 22895110
23 038.74 
Доступность: 28 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL17E4 22895110, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAR125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 912.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR125D 22890565, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 160А" 1.

0.0
SKM200GAR12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR12E4 22892420
36 020.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR12E4 22892420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM200GAR17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR17E4 22895140
27 427.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR17E4 22895140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 248А" 1.

0.0
SKM200GARL066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GARL066T 21915260
64 178.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GARL066T 21915260, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж