Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Модули IGBT

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK
0.0
5SNE1600E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300
305 097 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK
0.0
5SNE2400E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300
342 020 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ
0.0
5SNG0150P450300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300
194 329 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
5SNG0150Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300
21 182 ₽
Доступность: 8 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
5SNG0200Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300
20 599 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ
0.0
5SNG0250P330305
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305
186 557 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
5SNG0300Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300
38 284 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ
0.0
5SNG0450X330300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300
190 248 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
5SNG1000X170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300
161 683 ₽
Доступность: 9 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®
0.0
62CA1
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
19 226 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®
0.0
62CA2
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
19 041 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®
0.0
62CA4
Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
19 041 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
0.0
62EM1-00001
Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001
51 756 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А
0.0
A1C15S12M3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3
8 557 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А
0.0
A1P35S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3
10 774 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А
0.0
A1P50S65M2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2
8 367 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
0.0
A2C50S65M2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2
16 207 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А
0.0
A2P75S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3
18 034 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А
0.0
APT100GLQ65JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2
7 117 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А
0.0
APT100GLQ65JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU3
4 754 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
0.0
APT100GN120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 211 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
0.0
APT100GN120JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
13 652 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

APT100GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B
0.0
APT100GT120JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 676 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

APT100GT120JRDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B
0.0
APT100GT120JRDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 171 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JRDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

APT100GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
APT100GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU2
9 659 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

APT100GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А
0.0
APT100GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU3
9 659 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B
0.0
APT150GN120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 065 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B
0.0
APT150GN120JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
16 722 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B
0.0
APT150GN60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 959 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B
0.0
APT150GN60JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 596 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B
0.0
APT150GT120JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 538 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B" 1.

APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B
0.0
APT200GN60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 127 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

APT200GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B
0.0
APT200GN60JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 674 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT200GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

APT200GT60JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B
0.0
APT200GT60JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
11 528 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT200GT60JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

APT25GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А
0.0
APT25GLQ120JCU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT25GLQ120JCU2
9 256 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT25GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
0.0
APT35GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 436 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B" 1.

APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B
0.0
APT35GP120JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 657 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B" 1.

APT35GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А
0.0
APT35GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU2
6 168 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

APT35GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
0.0
APT35GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU3
6 168 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

APT40GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B
0.0
APT40GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 423 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)