Товары из категории модули igbt, стр.35

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SEMIX653GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430
511 968.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX703GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700
156 515.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801
163 098.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GD126HDC 27890735
442 486.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX71GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX71GD12E4S 27890190
25 049.80 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SEMIX854GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX854GB176HDS 27890510
234 042.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX904GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX904GB126HDS 27890720
138 800.00 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SK10GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
21 392.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK10GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830
19 198.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK100GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990
26 147.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK100GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930
31 815.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK100GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 066 T 24912430
82 463.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD07F3TD1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 07F3 TD1 24919170
93 982.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 12T4 T 24914780
103 490.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GH 12T4 T 24914520
74 967.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

0.0
SK100MLI066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 MLI 066 T 24914470
23 770.75 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SK120GAL12F4T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420
24 866.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK150DBB07F3TD1P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301
76 246.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

0.0
SK25GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GB 12T4 24914890
6 071.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK25GD12T4ETP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631
28 523.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж