Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK

0.0

КОД:

5SNE1600E170300

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300

305 097 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK

0.0

КОД:

5SNE2400E170300

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300

342 020 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ

0.0

КОД:

5SNG0150P450300

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300

194 329 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG0150Q170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300

21 182 ₽

Доступность: 8 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG0200Q170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300

20 599 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ

0.0

КОД:

5SNG0250P330305

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305

186 557 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG0300Q170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300

38 284 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ

0.0

КОД:

5SNG0450X330300

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300

190 248 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG1000X170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300

161 683 ₽

Доступность: 9 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA1

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

19 226 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA2

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

19 041 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA4

Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

19 041 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

0.0

КОД:

62EM1-00001

Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001

51 756 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А

0.0

КОД:

A1C15S12M3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3

8 557 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А

0.0

КОД:

A1P35S12M3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3

10 774 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А

0.0

КОД:

A1P50S65M2

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2

8 367 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

A2C50S65M2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2

16 207 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А

0.0

КОД:

A2P75S12M3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3

18 034 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А

0.0

КОД:

APT100GLQ65JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2

7 117 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А

0.0

КОД:

APT100GLQ65JU3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU3

4 754 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.