Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Модули IGBT

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
MCMA240UI1600PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
MCMA240UI1600PED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600PED
26 525 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

MCNA120UI2200PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А
0.0
MCNA120UI2200PED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCNA120UI2200PED
33 496 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

MCNA120UI2200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А
0.0
MCNA120UI2200TED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCNA120UI2200TED
30 591 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

MDI100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А
0.0
MDI100-12A3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI100-12A3
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDI100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

MDI150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А
0.0
MDI150-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI150-12A4
15 740 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDI150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А" 1.

MDI300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 220А
0.0
MDI300-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI300-12A4
21 684 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDI300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 220А" 1.

MDI550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 460А
0.0
MDI550-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI550-12A4
46 469 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDI550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 460А" 1.

MDI75-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А
0.0
MDI75-12A3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI75-12A3
12 450 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDI75-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

MDMA210UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А
0.0
MDMA210UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA210UB1600PTED
24 589 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDMA210UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

MDMA240UB1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
MDMA240UB1600ED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA240UB1600ED
26 913 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDMA240UB1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

MDMA280UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
MDMA280UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA280UB1600PTED
27 301 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDMA280UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

MDMA360UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
MDMA360UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA360UB1600PTED
31 365 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDMA360UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

MDMA450UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
MDMA450UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA450UB1600PTED
34 463 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDMA450UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

MDNA210UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ
0.0
MDNA210UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA210UB2200PTED
21 684 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDNA210UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 28.

MDNA280UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ
0.0
MDNA280UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA280UB2200PTED
39 691 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDNA280UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

MDNA360UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ
0.0
MDNA360UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA360UB2200PTED
41 976 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MDNA360UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

MG06100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
MG06100S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06100S-BN4MM
18 297 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG06100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

MG06150S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
MG06150S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06150S-BN4MM
21 491 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG06150S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

MG06300D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
MG06300D-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06300D-BN4MM
32 915 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG06300D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
MG06400D-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06400D-BN4MM
41 435 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
MG0675S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG0675S-BN4MM
15 857 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG100HF12MRC1-YAN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100HF12MRC1
6 503 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ
0.0
MG100UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100UZ12GJ
4 703 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А
0.0
MG10P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG10P12P2
3 277 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG12100S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12100S-BN2MM
18 703 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG12150S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150S-BN2MM
23 621 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
MG12150W-XN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage W Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150W-XN2MM
57 311 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG12200D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12200D-BN2MM
33 302 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG12300D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12300D-BN2MM
51 696 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А
0.0
MG15P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG15P12P2
4 024 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
MG17100S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG17100S-BN4MM
28 462 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MG1750S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
MG1750S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG1750S-BN4MM Обратное напряжение макс.1,7кВ
19 110 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG1750S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MG1775S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
MG1775S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG1775S-BN4MM
23 621 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG1775S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MG200HF12MRC2-YAN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG200HF12MRC2
12 479 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А
0.0
MG25P12P3-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG25P12P3
5 484 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
0.0
MG35P12P3-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG35P12P3
6 961 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U
0.0
MG50U12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50U12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 703 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U" 1.

MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ
0.0
MG50UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 703 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ" 1.

MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U
0.0
MG75U12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG75U12GJ
4 703 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U" 1.

MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ
0.0
MG75UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG75UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 703 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)