Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Памяти DRAM - микросхемы - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
AS4C64M8SC-7TIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
0.0
AS4C64M8SC-7TIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусTSOP54 II МонтажSMD
000 ₽
Доступность: 102 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C64M8SC-7TIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II" 1.

AS4C64M8SC-7TINTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
0.0
AS4C64M8SC-7TINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусTSOP54 II МонтажSMD Обозначение производителяAS4C64M8SC-7TINTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C64M8SC-7TINTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II" 1.

AS4C64M8SD-7TCN, IC: память DRAM; 0÷70°C
0.0
AS4C64M8SD-7TCN
Вид памятиSDRAM МонтажSMD Обозначение производителяAS4C64M8SD-7TCN ПроизводительALLIANCE MEMORY Рабочая температура0...70°C
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C64M8SD-7TCN, IC: память DRAM; 0÷70°C" 1.

AS4C8M16D1-5BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C
0.0
AS4C8M16D1-5BCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусFBGA60 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1-5BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C" 1.

AS4C8M16D1-5BCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C
0.0
AS4C8M16D1-5BCNTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусFBGA60 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C8M16D1-5BCNTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1-5BCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C" 1.

AS4C8M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; лоток
0.0
AS4C8M16D1-5BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусFBGA60 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; лоток" 1.

AS4C8M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; бобина
0.0
AS4C8M16D1-5BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусFBGA60 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C8M16D1-5BINTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; бобина" 1.

AS4C8M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусTSOP66 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16D1A-5TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TCNTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусTSOP66 II МонтажSMD Обозначение производителяAS4C8M16D1A-5TCNTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусTSOP66 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16D1A-5TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусTSOP66 II МонтажSMD Обозначение производителяAS4C8M16D1A-5TINTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16MSA-6BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусFBGA54
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16MSA-6BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусFBGA54
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C8M16SA-6TAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C8M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
0.0
AS4C8M16SA-6TANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина" 1.

AS4C8M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C8M16SA-6TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C8M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C8M16SA-6TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C8M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C8M16SA-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
000 ₽
Доступность: 280 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C8M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
0.0
AS4C8M16SA-6TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина" 1.

AS4C8M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-7BCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

Показать еще 24 товара
Категории