Памяти DRAM - микросхемы - 983

0.0
AS4C4M16SA-7BCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4с КорпусFBGA54 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M16SA-7BCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; FBGA54" 1.

0.0
AS4C4M16SA-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4с КорпусTSOP54 II
000 
Доступность: 587 шт.
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; TSOP54 II" 1.

0.0
AS4C4M16SA-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа7нс КорпусTSOP54 II
000 
Доступность: 1431 шт.
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M16SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 7нс; TSOP54 II" 1.

0.0
AS4C4M32D1A-5BCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа15нс КорпусBGA144
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32D1A-5BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144" 1.

0.0
AS4C4M32D1A-5BCNTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа15нс КорпусBGA144 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32D1A-5BCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144" 1.

0.0
AS4C4M32D1A-5BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа15нс КорпусBGA144
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32D1A-5BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144" 1.

0.0
AS4C4M32D1A-5BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа15нс КорпусBGA144 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32D1A-5BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144" 1.

0.0
AS4C4M32S-6BIN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6,5нс КорпусTFBGA90 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32S-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6,5нс" 1.

0.0
AS4C4M32S-6BINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA90 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32S-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA90" 1.

0.0
AS4C4M32S-7BCN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6,5нс КорпусTFBGA90 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32S-7BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6,5нс; 0÷70°C" 1.

0.0
AS4C4M32S-7BCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA90 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32S-7BCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA90" 1.

0.0
AS4C4M32SA-6TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP86
000 
Доступность: 58 шт.
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32SA-6TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86" 1.

0.0
AS4C4M32SA-6TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP86
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86" 1.

0.0
AS4C4M32SA-6TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP86
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32SA-6TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86" 1.

0.0
AS4C4M32SA-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP86
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C4M32SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP86" 1.

0.0
4C512M16D3LA-10BAN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LA-10BAN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток" 1.

0.0
4C512M16D3LA10BANT
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LA-10BANTR, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс" 1.

0.0
4C512M16D3LA-10BCN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LA-10BCN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток" 1.

0.0
4C512M16D3LA10BCNT
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LA-10BCNTR, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс" 1.

0.0
4C512M16D3LA-10BIN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LA-10BIN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; лоток" 1.

0.0
4C512M16D3LA10BINT
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,91нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LA-10BINTR, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс" 1.

0.0
4C512M16D3LB-12BCN
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LB-12BCN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток" 1.

0.0
4C512M16D3LB12BCNT
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LB-12BCNTR, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс" 1.

0.0
4C512M16D3LB-12BIN
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AS4C512M16D3LB-12BIN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток" 1.

Показать еще 24 товара
Категории