Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Памяти DRAM - микросхемы - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
AS4C256M8D3LC-12BANTR, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
4C256M8D3LC12BANTR
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,75нс КорпусFBGA78 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M8D3LC-12BANTR, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C256M8D3LC-12BCN, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
4C256M8D3LC-12BCN
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс КорпусFBGA78 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M8D3LC-12BCN, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C256M8D3LC-12BCNTR, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
4C256M8D3LC12BCNTR
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,75нс КорпусFBGA78 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M8D3LC-12BCNTR, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C256M8D3LC-12BIN, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
4C256M8D3LC-12BIN
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс КорпусFBGA78 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M8D3LC-12BIN, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C256M8D3LC-12BINTR, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
4C256M8D3LC12BINTR
Вид памятиDDR3L, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,75нс КорпусFBGA78 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C256M8D3LC-12BINTR, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C2M32D1A-5BCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C
0.0
AS4C2M32D1A-5BCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусBGA144 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32D1A-5BCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C" 1.

AS4C2M32D1A-5BCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C
0.0
AS4C2M32D1A-5BCNTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусBGA144 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C2M32D1A-5BCNTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32D1A-5BCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C" 1.

AS4C2M32D1A-5BIN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C
0.0
AS4C2M32D1A-5BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусBGA144 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32D1A-5BIN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C" 1.

AS4C2M32D1A-5BINTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C
0.0
AS4C2M32D1A-5BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусBGA144 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C2M32D1A-5BINTR
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32D1A-5BINTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C" 1.

AS4C2M32S-6BIN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90
0.0
AS4C2M32S-6BIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTFBGA90 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32S-6BIN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90" 1.

AS4C2M32S-6BINTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90
0.0
AS4C2M32S-6BINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTFBGA90 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32S-6BINTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90" 1.

AS4C2M32S-7BCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90
0.0
AS4C2M32S-7BCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTFBGA90 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32S-7BCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90" 1.

AS4C2M32S-7BCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90
0.0
AS4C2M32S-7BCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTFBGA90 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32S-7BCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90" 1.

AS4C2M32SA-6TCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86
0.0
AS4C2M32SA-6TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусTSOP86
000 ₽
Доступность: 93 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32SA-6TCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86" 1.

AS4C2M32SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86
0.0
AS4C2M32SA-6TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусTSOP86
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86" 1.

AS4C2M32SA-6TIN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86
0.0
AS4C2M32SA-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусTSOP86
000 ₽
Доступность: 15 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32SA-6TIN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86" 1.

AS4C2M32SA-6TINTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86
0.0
AS4C2M32SA-6TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусTSOP86
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32SA-6TINTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86" 1.

AS4C2M32SA-7TCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86
0.0
AS4C2M32SA-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусTSOP86
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32SA-7TCN, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86" 1.

AS4C2M32SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86
0.0
AS4C2M32SA-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусTSOP86
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C2M32SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86" 1.

AS4C32M16D1-5BAN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C
0.0
AS4C32M16D1-5BAN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток МонтажSMD Обозначение производителяAS4C32M16D1-5BAN Память512Мб DRAM
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C32M16D1-5BAN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C" 1.

AS4C32M16D1-5BANTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C
0.0
AS4C32M16D1-5BANTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина МонтажSMD Обозначение производителяAS4C32M16D1-5BANTR Память512Мб DRAM
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C32M16D1-5BANTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C" 1.

AS4C32M16D1-5BCN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; 0÷70°C; лоток
0.0
AS4C32M16D1-5BCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный МонтажSMD Обозначение производителяAS4C32M16D1-5BCN
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C32M16D1-5BCN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; 0÷70°C; лоток" 1.

AS4C32M16D1-5BCNTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; 0÷70°C; бобина
0.0
AS4C32M16D1-5BCNTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина МонтажSMD Обозначение производителяAS4C32M16D1-5BCNTR Память512Мб DRAM
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C32M16D1-5BCNTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; 0÷70°C; бобина" 1.

AS4C32M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷85°C
0.0
AS4C32M16D1-5BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный МонтажSMD Обозначение производителяAS4C32M16D1-5BIN
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "AS4C32M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷85°C" 1.

Показать еще 24 товара
Категории