Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
SEMIX305MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI07E4 21919430
177 88731 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI07E4 21919430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 300А; винтами" 1.

0.0
SEMIX305MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI12E4V2 27922900
222 88068 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI12E4V2 27922900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX305TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305TMLI12E4B 21919480
183 92898 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX305TMLI12E4B 21919480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SEMIX355MLI12M7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX355MLI12M7 27922120
210 38163 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX355MLI12M7 27922120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 350А" 1.

0.0
SEMIX402GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAL066HDS 27891104
20 82860 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAL066HDS 27891104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 379А" 1.

0.0
SEMIX402GAR066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAR066HDS 27891106
63 32197 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAR066HDS 27891106, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 400А" 1.

0.0
SEMIX402GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GB066HDS 27891100
84 98674 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX402GB066HDS 27891100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX404GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB12E4S 27890170
134 56155 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB12E4S 27890170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX404GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB17E4S 27892076
157 05871 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB17E4S 27892076, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX405MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405MLI07E4 21919440
212 46591 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX405MLI07E4 21919440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SEMIX405TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405TMLI12E4B 21919490
214 54830 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX405TMLI12E4B 21919490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SEMIX443KD16P
Импульсный ток8,2кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX443KD16P 27897520
103 31534 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX443KD16P 27897520, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 580А" 1.

0.0
SEMIX443KD22P
Импульсный ток8,2кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX443KD22P 27897530
89 56818 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX443KD22P 27897530, Модуль: диодный; два последовательных диода; 2,2кВ; If: 580А" 1.

0.0
SEMIX452GAL126HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX452GAL126HDS 27890685
81 65341 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX452GAL126HDS 27890685, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX453GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL12E4S 27890144
93 31913 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL12E4S 27890144, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4P 27894424
114 14773 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4P 27894424, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GAL17E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4S 27892132
110 81439 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4S 27892132, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAR12E4S 27890142
92 27652 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAR12E4S 27890142, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GB07E3P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
128 31250 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4I33P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
144 76894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
139 76894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
135 39394 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
133 31250 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
131 64583 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Показать еще 24 товара